Yarıyalıtkan ve n-tipi GaAs kristallerinin yakın bant kenarı bölgesinde optik soğurma olaylarının incelenmesi
Near bandedge optical absorption processes in semi-insulating and n-type GaAs
- Tez No: 83673
- Danışmanlar: PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Kristaller, Soğurma, Yarı yalıtkan kristaller, Crystals, Absorption, Semi-insulating crystals
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Katkılanmamış ve yanyalıtkan özelliğe sahip GaAs kristali ile Te katkılanmış n-tipi GaAs kristali üzerinde bant kenarına yakın bölgedeki soğurma spektrumları 10-300 K sıcaklık bölgesinde incelendi. Bant kenarına yakın bölgede maksimum değerleri sıcaklığa bağlı olarak 1.499 eV'dan 1.485 eV'a değişen soğurma pikleri gözlendi. Bu enerji değerleri bilinen Reverse-Contrast soğurmasıyla iyi uyuşmaktadır. Bu pikler, yarıyalıtkan GaAs ve n-tipi GaAs'da 100 K'nın üzerinde kaybolmaktadır. Sıcaklığa göre (Eg- Emax ) değerlerinin ekstrapolasyonundan; yakın bant kenarı soğurma piklerinin yanyalıtkan ve n-tipi numunede 200 K civarında iletkenlik bandı ile birleştiği görüldü. Bununla birlikte, EL2 merkezlerinin ileri bir ışınlama ile foto-quench edilmesinden sonra yakın bant kenarı bölgesindeki soğurmanın da foto-quench edilebileceği gösterildi Soğurma ölçüleri ve spektral foto-akım ölçülerinin karşılaştırılması ile bu yakın bant kenarı soğurmasının herhangi bir merkez-içi soğurmaya sahip olmadığı kanaatine varıldı.
Özet (Çeviri)
Near bandedge optical absorption processes in semi-insulating (SI) GaAs and in Te doped n-type GaAs crystals was investigated in the range of 10-300 K. We observed absorption peaks whose maximum energies (En,) ranging from 1.499 to 1.485 eV as the temperature increases from 10 K to 100 K. Such energy values are in agreement with known RC absorptions. The peaks for both SI and n-type GaAs were disappeared above 100 K. Extrapolating the graphs of Eg-Em versus temperature, we observed that near bandedge absorption is overlapped by conduction band at about 200 K for both SI and n- type samples. Furthermore, we demonstrated that the absorption in the region of near bandedge can be photo-quenched using further irradiation after EL2 photo-quenching at higher temperatures. Comparison of the absorption measurements with the spectral photo-current measurements, we conclude that Reverse Contrast (RC) centres that cause such absorption at energies close to the bandedge have no intra-centre transition.
Benzer Tezler
- Fe katkılanmış yarıyalıtkan InP kristallerinin optik ve elektriksel bakımdan tetkiki
Characterization of Fe-doped, semiinsulating InP crystals by optical and electrical techniques
SEYDİ DOĞAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
- Silisyum S-dope edilmiş galyum arsenid (GaAs) epitaksiyel yapıların fotoiletkenlik özelliklerinin incelenmsi
Başlık çevirisi yok
YENER ÖZKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN