Synthesis of silican-germanium by high dose germanium ion implantation into silican
Silisyum içine yüksek doz germanyum iyon ekimi ile silisyum-germanyum sentezlenmesi
- Tez No: 82759
- Danışmanlar: DOÇ. DR. RAŞİT TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: İyon Ekme, MOS kapasitörleri, Silisyum-Germanyum. iv, Germanyum, Silisyum, Ion Implantation, MOS capacitors, Silicon-Germanium. in, Germanium, Silicon, Ion implantation
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz SİLİSYUM İÇİNE YÜKSEK DOZ GERMANYUM İYON EKİMİ İLE SİLİSYUM-GERMANYUM SENTEZLENMESİ Şahin, Mehmet Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Raşit Turan Nisan 1999, 111 sayfa Silisyum örneği içinde bir Silisyum-Germanyum tabakası sentezlemek için iyon ekme tekniği kullanıldı. SiGe tabakası, Ge iyonu ekerek yüksek sıcaklıkta fırınlamanın ardından basan ile büyütüldü. SiGe tabakasının varlığı SIMS ölçümü ile kanıtlandı. XRD ölçümleri kristalde bir gerilmenin olduğunu gösterdi. Bunun sebebi SiGe kristal sabitinin Si kristal sabitinden daha büyük olmasıdır. Ayrıca, deneysel bulgularla beklenen sonuçlan karşılaştırmak için TRIM simülasyon programı kullanıldı. Sonuçlar beklenenlerle uyumludur. Kapasitans-Voltaj (C-V) ve İletkenlik- Voltaj (G-V) ölçümleri ile Ge ekilmiş Si ve saf Si üzerinde üretilen MOS kapasitörleri incelendi. Ge ekilmiş örneklerin C-V ve G-V sonuçlannı ve deneysel gözlemlerin diğer özelliklerini açıklamak için bir band yapısı modeli ve buna bağlı eşdeğer devre geliştirildi. Bu model ölçümlerin sonuçlarının başanlı bir şekilde açıklanmasını sağladı.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT SYTHESIS OF SILICON-GERMANIUM BY HIGH DOSE GERMANIUM ION IMPLANTATION INTO SILICON Şahin, Mehmet M.Sc, Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Raşit Turan April 1999, 111 pages Ion implantation technique has been used to synthesize a SiGe alloy layer in Si substrate. SiGe layer has been successfully grown by Ge implantation followed by high temperature annealing. The presence of SiGe layer has been evidenced by SIMS measurement. XRD measurements have shown the presence of a strain in the lattice. This is because the lattice constant of SiGe is larger than Si substrate. TRIM simulation program has also been used to compare the experimental findings with the expectations. The results are in agreement with the expected ones. MOS capacitors fabricated on Ge- implanted Si and on pure Si has been investigated by C-V and G-V measurements. A band structure model and associated equivalent circuit have been introduced to explain the C-V characteristics of Ge-implanted samples and other features of the experimental observations. This model has provided a successful description of the results of the measurements.
Benzer Tezler
- Murgul cevherlerinden nadir metallerin kazanılması
Recovery of race metals from. Murgul areas
SERDAR TÜFEKÇİ
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiCevher-Kömür Hazırlama ve Değerlendirme Ana Bilim Dalı
DR. VECİHİ GÜRHAN
- Lageos I ve lageos II için doğruluk analizi
Başlık çevirisi yok
GAYE KIZILSU
Doktora
Türkçe
1998
Jeodezi ve Fotogrametriİstanbul Teknik ÜniversitesiÖlçme Tekniği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUHAMMET ŞAHİN
- Synthesis and characterization of a novel form of luminescent silicon
Işıma yapabilen silikonun yeni halinin sentezi ve karakterizasyonu
ÖMER DAĞ
- Pirinç kabuğundan silisyum nitrür tozunun sentezi
Synthesis of silicon nitride powder from rice husk
NİLGÜN KUŞKONMAZ
- Silan türevli işlevsel gruplar kullanılarak metal-polimer malzemelerinin sentezi ve uygulamalarının araştırılması
Synthesis of metal-polymer materials by using silane derivative functional groups and investigation of their applications
SÜLEYMAN KARTACA
