Effects of annealing on electrical resistivity of aluminum thin films
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 8201
- Danışmanlar: DOÇ. DR. A. MACİT ÖZENBAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
- Anahtar Kelimeler: Elektriksel özdirenç, Alüminyum ince Film, Alüminyum filmler, Elektriksel direnç, Kaplama, Parçacık büyüklüğü, Electrical Resistivity, Aluminum Thin Film, Aluminum films, Electrical resistance, Coating, Particle size
- Yıl: 1990
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ALÜMİNYUM İNCE FİLMLERDE ISIL İŞLEMİN ÖZDİRENÇ ÜZERİNDEKİ ETKİLERİ ( YAROÖLU ) GÜLER, Hüsniye Mühendislik Fakültesi Metalürji Mühendisliği Bölümü, Y. Lisans Tezi Tez Yöneticisi : Assoc. Prof. Dr. A.Macit ÖZENBAS 70 Sayfa, Şubat 1990 ÖZET Bu çalışmada temizlenmiş cam altlıkların üzerine vakumda kaplanan alüminyum filmlerin elektriksel özdirençleri ve danecik büyüklükleri incelenmiştir. Kaplama işlemi sırasında vakum basıncı 2 x 10 torr ve altlık sıcaklığı 20 C olarak uygulanmıştır. Değişik tavlama sürelerinde ve 140 *C ~ 240 *C arasında değişen sıcaklıklarda elektriksel özdirenç değişimleri incelenmiştir. Danecik büyüklüklerinin oldukça küçük olması nedeniyle Tarama Elektron Mikroskobunda görüntü elde edilememiştir. Oluşan kristallerin yapıları ve danecik büyüklüğü; X-ışmları analizi ve Transmisyon Elektron Mikroskobu yardımıyla gözlemlenmiştir.Bu çalışmada bir kalıplı, bir de kalıpsız olmak üzere iki çeşit kaplama yapılmıştır. Kalıplı kaplama ile elde edilen alüminyum filmlerin kalınlıkları; 7200 Â'den 28000 Â'e kadar değişim göstermektedir. Kalıpsız kaplama ile elde edilen alüminyum filmlerin kalınlıkları ise; 7300 A'den 15000 Â'e kadar değişmektedir. Film kalınlıklarının tavlama süre ve sıcaklıklarıyla birlikte elektriksel ozdirenci etkiledikleri görülmüştür. Film kalınlığının artışı elektriksel ozdirenci düşürdüğü gibi, danecik büyüklüğünün artışına neden olmuştur. Elektriksel özdirenç ölçümü sonuçları beklenildiği gibi olmamıştır. Cam altlıkların yetersiz temizlenmesi ; film-altlık ara-yüzeyinde birtakım inorganik maddelerin varlığı ve film üzerinde oksitlenme olması elektriksel Ozdirenci etkileyen faktörlerdendir.
Özet (Çeviri)
EFFECTS OF ANNEALING ON ELECTRICAL RESISTIVITY OF ALUMINUM THIN FILMS (YAROGLU) GÜLER, Hüsniye Faculty of Engineering Department of Metallurgical Engineering, M.S. Thesis Supervisor : Assoc. Prof. Dr. A.Macit OZENBAŞ 70 pages, February 1990 ABSTRACT In this work, electrical resistivities and grain size of the aluminum films prepared by vacuum deposition onto cleaned glass substrates were examined. The vacuum pressure during deposition and the substrate-temperatures were 2 x 10 torr and 20 *C, respectively. Electrical resistivity variation was investigated between 140 °C - 240 *C at different annealing times. Grain size of the aluminum films was very small, so nothing was seen by using Scanning Electron Microscope. The structure of the crystals and grain sizes of the films was observed by using X-ray analysis and Transmission Electron Microscope. These crystals were of face centered cubic structure. iiiIn this work two types of deposition were done. One of them is deposited with mask, the other is deposited without mask. The thicknesses of the films which were deposited with mask were varied between 7200 A and 28000 A. The thicknesses of the films which were deposited without mask were varied between 7300 A and 15000 A. The thicknesses of the films were found to be an important property as to affect the electrical resistivities, in correlation with the annealing temperatures and times. Results of the electrical resistivity measurements were unexpected. Insufficient cleaning of glass substrate, presentation of inorganic materials and powders at the film - substrate interface and oxidation of the film effect the electrical resistivity.
Benzer Tezler
- Güç transformatörlerinde kazan kayıplarının azaltılması
The Reducing of tank losses in large transformer
GÜVEN KÖMÜRGÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. NURDAN GÜZELBEYOĞLU
- 3um N-kuyu CMOS teknolojisi ile test kırmığı tasarımı ve tranzistor eşik gerilimi ayarı
Test chip design for 3 um N-well CMOS fabrication technology and threshold voltage adjustment
ZEYNEP D. TOROS
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- Gözenekli silisyumun elektriksel ve optik özellikleri
Electrical and optical properties of porous silicon
BİRSEL CAN ÖMÜR
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YANİ SKARLATOS
- Reaktif buharlaştırma ve sol gel teknikleri ile hazırlanan filmlerin optik ve elektriksel özellikleri
Başlık çevirisi yok
DENİZHAN ATEŞALP
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. GALİP TEPEHAN
- GaTe, GaTe:Er ve GaTe:Cu yarıiletkenlerinin büyütülmesi, elektriksel ve optik karakterizasyonu
Growth electrical and optical characterisation of GaTe, GaTe: Er and GaTe: Cu semiconductors
HÜSNÜ SALİH GÜDER
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU