Si-ZnO tabanlı hetero-eklem fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu
Si-ZnO based heterojunction photodiode fabrication andcharacterization
- Tez No: 770548
- Danışmanlar: PROF. DR. EYÜP FAHRİ KESKENLER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: n-Zno, Sol-Jel, Döndürme Kaplama, Fotodiyot, P-N Eklem, Yarı İletken, Kaplama, Sol-jel yöntemi, Yarı iletkenler, n-Zno, Sol-Gel, Spin Coating, Photodiode, P-N Junction, Semiconductor, Coating, Sol-gel method, Semiconductors
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Fotodiyot teknolojisi, elektronik endüstrisinde birçok uygulamaya sahiptir. Fotodiyotlar, CD / DVD sürücülerden optik haberleşmeye ve hırsız alarmlarından genel ışık algılamaya kadar birçok uygulamada ışık algılamalı fotoğraf dedektörleri olarak kullanılır. Bu çalışmada Si altlık üzerinde Sol-jel döndürerek kaplama yöntemiyle kaplamadan önce ZnO ince filmi üretildi, kullanılan başlangıç malzemesi olarak Çinko asetat dihidrat, bir çözücü olarak ve stabilizatör olarak işlev görmesi için methaoxyethanol ve monoetanolamin sırasıyla ilave edildi. Bu çalışmada, sol-jel yöntemi ile p-Si substrat üzerine ZnO ince film kaplanarak Si-ZnO heteroeklem tabanlı fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu gerçekleştirilmiştir. Özellikle karanlıkta ve ışık altında yapılan ölçümlerin grafikleri incelenerek elektriksel parametreleri hesaplanmış, idealite faktörü, seri direnç, ters doyma akım değeri ve bariyer yüksekliği sırasıyla 6.6, 8.09 Ω, 1.6×10-6 A, 0.084 eV bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
Photodiode technology has many applications in the electronics industry. Photodiodes are used as light sensing photo detectors in many applications, from CD/DVD drives to optical communications and from burglar alarms to general light detection. In this study, ZnO thin film was produced before coating by Sol-gel spin coating method on Si substrate, Zinc acetate dihydrate used as starting material, methaoxyethanol and monoethanolamine were added respectively to act as a solvent and stabilizer. In this study Si-ZnO heterojunction based photodiode production and characterization were performed by coating ZnO thin film on p-Si substrate by sol-gel method. Especially the electrical properties were calculated by analyzing the graphs of the measurements taken in the dark and under the light, the ideality factor, series resistance, reverse saturation current value and barrier height were respectively. 6.6, 8.09 Ω, 1.6 ×10-6 A, 0.084 eV.
Benzer Tezler
- N, n′-dioktil-3,4,9,10-perilendikarboksiimid organik yarı iletken katkılı n-zno/p-si heteroeklem fotodiyotun ışığaduyarlılık performansının araştırılması
Investigation photosensitivity performance of n,n′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide organicsemiconductor doped n-zno/p-si heterojunction photodiode
EMRECAN EMEKSİZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
BiyoteknolojiSelçuk ÜniversitesiBiyoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT YILDIRIM
- Zno aktif tabanlı heteroeklemlerin oluşturulması ve karakterizasyonu
Formation and characterization of Zno active layered heterojunctions
SÜLEYMAN TEKMEN
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
- Zn tabanlı heteroeklemlerin kapasitans-voltaj karakterizasyonu
Capacitance-voltage characterization of Zn based heterojunctions
AYDIN YILDIRIMLAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiMehmet Akif Ersoy ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TAYYAR GÜNGÖR
- P3ht:PCBM tabanlı heteroeklem organik güneş pillerinin fabrikasyonu ve ZnO ince film tabakasının inverted yapıya uygulanması
Fabrication of p3ht:pcbm based heterojunction organicsolar cells and application of ZnO thin film layer toinverted structure
YASİN NUHOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErzurum Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT ÇAKMAK
- Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması
Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications
HATİCE ASIL
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN