Geri Dön

Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması

Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications

PDF İndir

  1. Tez No: 269690
  2. Yazar: HATİCE ASIL
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Elektrokimya, Fotolüminesans, Soğurma, Yarı iletken ince filmler, Electrochemistry, Photoluminescence, Absorption, Semiconductor thin films
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Deiyonize su (DI) ve dimetilsülfatoksit (DMSO) çözücüleri içinde çinko nitrat (Zn(NO3)2), çinko asetat (Zn(C2H3O2)2), çinko klorür (ZnCl2) ve çinko perklorat (Zn(ClO4)2) metal tuzları kullanılarak farklı iletkenler (ITO, Au, Ni) ve yarıiletkenler (Si, GaN, GaAs, InP) üzerine elektrokimyasal büyütme tekniğiyle ZnO ince filmler büyütülmüştür. Büyütülen filmlerin yapısal, elektriksel ve optik karakterizasyonu ile optimum büyüme şartları belirlenmiştir. En kaliteli ZnO ince filmlerin DMSO çözücüsünde 0.1 M çinko perklorat bileşiği kullanılarak, -1 V katodik UPD (under potential deposition) potansiyelinde büyütüldüğü görülmüştür. Ayrıca, elektrokimyasal yöntemle ZnO filmlerin büyütülmesinde pH etkisi de araştırılmış ve en kaliteli filmlerin çözeltinin pH'sının 6 olduğu durumda elde edildiği anlaşılmıştır. p-ZnO elde etmek için, çinko nitrür (Zn3N2) metal tozu ITO üzerine buharlaştırılmış ve ardından elektrokimyasal büyütme işlemi gerçekleştirilmiştir. Büyütülen ZnO filmlerin Hall ölçüm sonuçlarına göre p-tipi olduğu bulunmuştur. Farklı p-tipi yarıiletken taban malzemeler üzerine n-ZnO ve n-tipi yarıiletkenler üzerine de p-ZnO büyütülerek heteroeklemler oluşturulmuş ve bu heteroeklemlerin I-V (akım-voltaj) ve C-V (kapasite-voltaj) karakteristikleri incelenmiştir. Son olarak, ITO üzerinde ZnO tabanlı p-n eklemler (homojunction) imal edilerek, bu yapıların fiziksel özellikleri araştırılmıştır.

Özet (Çeviri)

ZnO thin films were grown by electrochemical deposition technique onto different conductive (ITO, Au, Ni) and semiconducting materials (Si, GaN, GaAs, InP) using different compounds such as Zn(NO3)2, Zn(C2H3O2)2, ZnCl2, Zn(ClO4)2, and different solvents such as dimethylsulfoxide (DMSO) and de-ionized water of 18 M?. The optimum growth parameters of the samples were obtained using structural, electrical and optical characterization techniques. The best quality ZnO thin films have been obtained by 0.1 M Zn(ClO4)2 compound in DMSO solvent at the UPD (under potential deposition) cathodic potential of -1 V. Also, pH effect on growth of ZnO thin films by electrodeposition were investigated and found that the best quality films have been obtained at pH of 6. In order to obtain p-ZnO, metal powder of Zn3N2 was first evaporated on ITO and then electrodeposition was carried out. The Hall measurements on these samples have shown that ZnO thin films are p-type. n-ZnO thin films were electrochemically deposited onto the different p-type substrates (and p-ZnO thin films onto the n-type substrate) in order to fabricate hetero p-n junctions. These junctions were characterized by I-V (current-voltage) and C-V (capacitance-voltage) measurements. Finally, ZnO based p-n homojunctions were produced on ITO substrates and then the physical properties of these structures were analyzed.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    421255

    Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction

    ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri

    YELİZ KÖSE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN

  2. Tez No

    441858

    Eş püskürtme tekniği ile büyütülen mgzno ince filmlerin yapısal ve optiksel karakterizasyonu

    The structural and optical characterization of mgzno thin films by magnetron co-sputtering

    NESLİHAN BOZKURT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY

  3. Tez No

    142597

    Yeni Cami'nin akustik açıdan performans değerlendirmesi

    Evaluation of the acoustical performance of the New Mosque

    EVREN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Mimarlıkİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mimarlık Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEVTAP YILMAZ DEMİRKALE

  4. Tez No

    378126

    Geniş bant aralıklı saydam iletken oksit ZnO ince filmlerinin kalınlığına bağlı elektriksel ve optiksel karakterizasyonu

    Thickness dependent electrical and optical characterization of the transparent conductive oxide wide-band gap ZnO thin films

    NİLGÜN ERARSLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAkdeniz Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞERAFETTİN YALTKAYA

  5. Tez No

    284215

    ZnO nanoyapıların elektrokimyasal depolama yöntemiyle büyütülmesi ve optik karakterizasyonu

    Growth of ZnO nanostructures by electrochemical deposition and optical characterization

    TARIK KARABEY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü

    PROF. DR. HASAN EFEOĞLU

Geri Dön