Si (111) alttaşı üzerine büyütülmüş AIN ince filmlerin elipsometri tekniği ile optik karakterizasyonu
Optical characterization of AIN thin films grown on Si(111) substrate by ellipsometry
- Tez No: 712140
- Danışmanlar: DOÇ. DR. İLKAY DEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Alüminyum nitrür, Arayüz özellikleri, Elipsometri, Optik özellikler, Spektrometri, Spektroskopik yöntemler, Aluminum nitride, Interface properties, Ellipsometry, Optical properties, Spectrometry, Spectroscopic methods
- Yıl: 2021
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Optik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Nanofotonik Uygulama ve Araştırma Merkezi Laboratuarlarında Kurulu bulunan MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) cihazı ile Si (111) alttaş üzerine büyütülmüş epitaksiyel AIN tek kristal ince filmlerin optik karakterizasyonu spektroskopik elipsometri tekniği yardımıyla gerçekleştirilmiştir. Ayrıca AIN tek kristal ince filmlerin kalınlığı ile kırılma indisi ve sönümlenme katsayısı gibi optik parametreleri belirlenmiştir. Spektroskopik elipsometri tekniği ile yapılan ölçümler ve üretilen modeller ile AIN tek kristal ince filmlerin büyütülmesi sırasında yüksek sıcaklık etkisine bağlı olarak Si (111) alttaş ile ince film arasında oluşan ara tabakanın yapısının amorf bir yapıya sahip olan silikon tabaka olduğu bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
In this study, optical characterization of epitaxial AIN single crystal thin films grown on Si(111) substrate with MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) device installed in Sivas Cumhuriyet University Nanophotonics Application and Research Center Laboratories was carried out with the help of spectroscopic ellipsometry technique. In addition, optical parameters such as thickness of AIN single crystal thin films, refractive index and fading coefficient were determined. With the measurements made by the spectroscopic ellipsometry technique and the models produced, it was found that the structure of the intermediate layer formed between the Si(111) substrate and the thin film due to the high temperature effect during the growth of AIN single crystal thin films was a silicon layer with an amorphous structure.
Benzer Tezler
- [Ni/Pt/CoO]x çok katlı ince filmlerin yapısal ve manyetik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural and magnetic properties of [Ni/P/CoO]x multilayer thin films
AYŞE SÖNMEZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NUMAN AKDOĞAN
- Investigation of two dimensional materials with simultaneous atomic force/scanning tunneling microscopy
İki boyutlu malzemelerin eşzamanlı atomik kuvvet / taramalı tünelleme mikroskobu ile incelenmesi
MAJID FAZELI JADIDI
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN ÖZGÜR ÖZER
- Grafen yapılarda galvanomagnetik ölçümler
Galvanomagnetic measurements in graphene samples
HAKAN ASAF FIRAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENGİN TIRAŞ
- Growth and characterization of group III-V nanostructures on Si substrates by MBE
Si alttaş üzerine III-V grubu nanoyapilarin MBE tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
BURCU ARPAPAY
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
PROF. DR. MEHMET ALİ GÜLGÜN
- Hematolojik hastalıklarda splenektominin mortalite ve morbidite üzerine etkisi
Effects of splenectomy on mortality and morbidity in patients with hematological diseases
AYSEL PASHAYEVA
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2018
HematolojiHacettepe Üniversitesiİç Hastalıkları Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İBRAHİM CELALETTİN HAZNEDAROĞLU
PROF. DR. YAHYA BÜYÜKAŞIK