Geri Dön

Growth and characterization of group III-V nanostructures on Si substrates by MBE

Si alttaş üzerine III-V grubu nanoyapilarin MBE tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

  1. Tez No: 590804
  2. Yazar: BURCU ARPAPAY
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN, PROF. DR. MEHMET ALİ GÜLGÜN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, moleküler demet epitaksi sistemi ile III-V grubu epi-katman ve nanoyapılar Si (100) alttaş üzerine büyütüldü. Sb tabanlı aygıtlar için kullanılan GaSb alttaş yerine Si alttaş üzerine büyütülen GaSb epi-katmanların yüzey pürüzlülüğü, kristal kalitesi, kusur yoğunluğu ve optik özellikleri incelendi. Kristal kalitesini iyileştirmek adına çeşitli büyütme yöntemleri uygulandı ve elde edilen sonuçlar karşılaştırmalı olarak değerlendirildi. Ayrıca örgü uyumsuzluğundan kaynaklanan kusur oluşumlarını indirgemek için farklı özellikte Si alttaşlar kullanıldı ve sonuçları incelendi. Düşük boyutta fonksiyonel aygıtlar için önemli olan Si (111) alttaş üzerine GaAs nanoteller büyütüldü ve elektron mikroskobu tekniği ile büyütme parametrelerinin GaAs nanotel morfolojisine etkisi araştırıldı. Tüm çalışmada büyütülen örnekler, atomic kuvvet mikroskobu, yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı, fotolüminesans, ve elektron mikroskobu gibi tekniklerle detaylı olarak analiz edildi ve sonuçları sunuldu.

Özet (Çeviri)

Group III-V epilayers and nanostructures were grown on Si (100) substrates by molecular beam epitaxy. GaSb buffer layers on Si substrates to serve as a replacement of GaSb substrate for the Sb-based devices in the long term were investigated in terms of the surface roughness, crystal quality, defects and optical properties. Various growth treatments were carried out to enhance the GaSb epilayer quality and the obtained results were evaluated comparatively. In addition to the nominal substrates vicinal ones were used as well to minimize the common defects observed in lattice mismatch epitaxial growth. GaAs nanowires (NWs) on Si (111) substrates to be used as low dimensional functional devices were grown and the effect of growth parameters on the morphology of NWs were investigated in detail by electron microscopes. Throughout the study the grown samples were deeply analyzed by various characterization tools such as atomic force microscopy, high resolution X-ray diffraction, photoluminescence spectroscopy, scanning electron microscope and transmission electron microscope.

Benzer Tezler

  1. İki boyutlu yarıiletken TMDC malzemelerin katkılanması ve optik/elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Doping of two-dimensional semiconductor TMDC materials and characterisation of optical/electrical properties

    YUSUF KEREM BOSTAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Bilim ve Teknolojiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FAHRETTİN SARCAN

  2. Synthesis & characterization of CdSe/ZnS quantum dots

    CdSe/ZnS kuantum noktalarının sentezi ve karakterizasyonu

    HAKAN AYDIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HİLMİ ÜNLÜ

  3. Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD

    III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD`deki uygulamaları

    ALI HAIDER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)

    Assist. Prof. AYKUTLU DANA

    DR. NECMİ BIYIKLI

  4. Synthesis of ZnCdSSe, CdSSeTe quaternary and ZnCdSSeTe quinary alloy quantum dots via two phase synthesis method

    ZnCdSSe, CdSSeTe dörtlü ve ZnCdSSeTe beşli alaşım kuantum noktacıklarının iki faz sentez yöntemi ile sentezlenmesi

    MERVE ERKAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CANER ÜNLÜ

  5. III-V grubu güneş hücre yapılarının epitaksiyel büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Epitaxial growth and characterization of III-V group solar cell structures

    BARIŞ KINACI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK