Bazı yarı iletkenlerin AC iletkenliği
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 67438
- Danışmanlar: PROF. DR. MUHSİN ZOR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yarı iletkenler, İletkenlik, Semiconductors, Conductivity
- Yıl: 1997
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu çalışmada bazı yarıiletkenlerin ac ve de elektriksel özellikleri ele alınmıştır. Yarıiletkenlerde elektriksel iletim meydana gelirken, sadece valans ve iletim bantları iletime katkıda bulunmazlar. Bunların yanında yasak enerji aralığında yer alan ve bir takım kusurlardan kaynaklanan lokalize ve genişletilmiş durumlar da iletime katkıda bulunurlar. Yarıiletkenlerin ac ve de elektriksel iletimlerine üç farklı geçiş mekanizması katkıda bulunur. Bunlar, genişletilmiş durumlardaki iletim, bant kenarlarındaki lokalize durumlar arasındaki iletim ve Fermi enerji seviyesindeki lokalize durumlar arasındaki iletimdir. Bu geçiş mekanizmalarında tünelleme ve hopping modelleri ele alınmıştır. Genelde ac iletkenliğin frekansa bağımlılığı <os ile değişmekte, s 0.6 ile 1 arasında değerler almaktadır.
Özet (Çeviri)
SUMMARY In this study, the ac and dc electrical properties of the semiconductors have been investigated. The contributions to the electrical conductions in the semiconductors are not only from the conduction and valence bands, but also arise from the localized and extended states in the forbidden gap. The ac conduction mechanisms were observed to take place in three different ways. These are; the conduction in the extended states, the conduction by means of the localized states near the band edges and the localized states about the Fermi level. These mechanisms have been considered in terms of the tunnelling and hopping models. Generally, the dependence of the ac conductivities on the frequency varied as oo3, where s lies between 0.6 and 1.
Benzer Tezler
- Zn (In2S3)S yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özellikleri
Some physical properties of the Zn (In2S3)S semiconducting films
AHMET ŞENOL AYBEK
Doktora
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MUHSİN ZOR
- Cd (In2S3)S yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özellikleri
Some physical properties of the Cd (In2S3)S semiconducting films
METİN KUL
Doktora
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MUHSİN ZOR
- Cu(Zn,Cd) in (Sı-xSEx)2 yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özellikleri
Properties physics semiconductor films of Cu (Zn,Cd) in (Sı-xSex)2
SABİHA AKSAY
Doktora
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHSİN ZOR
- Design and construction of pulse generation and signal processing units for deep level transient spectroscopy studies
Başlık çevirisi yok
ÜNAL SOYDAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1989
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. MÜZEYYEN SARITAŞ
- Silisyumun yönlü aşındırılması ve mikroalgılayıcılar
Anisotropic etching of silicon and microsensors
F.ALİ ALDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ