Ge katkılı CuInTe2 yarıiletken ince filminin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin araştırılması
Investigation of structural, electrical and optical properties of Ge doped CuInTe2 thin film
- Tez No: 668595
- Danışmanlar: PROF. DR. ORHAN KARABULUT, PROF. DR. KORAY YILMAZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Elektriksel karakterizasyon, Metal-yarı iletken sistemler, İnce filmler, Electrical characterization, Metal-semiconductor systems, Thin films
- Yıl: 2021
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Pamukkale Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Ge(\%1) katkılı CuInTe\textsubscript{2} yarıiletken ince filmler tek potadan termal buharlaştırma yöntemi (TBY) ve çözücü propilen glukol (PG) kullanılarak oluşturulan macun aracılığı ile basit kaplama yöntemi \emph{Dr. Blade} yöntemi kullanılarak elde edilmiştir. Her iki yöntemle elde edilen ince filmlerin yapısal ve içerik incelemeleri XRD ve EDS üniteli SEM mikroskopu ile yapılmıştır. TBY yöntemi ile elde edilen filmlerin elektriksel özellikleri \emph{Hall} etkisi ölçümleri, \emph{Dr. Blade} yöntemi ile üretilen filmlerin sıcaklığa bağlı iletkenlik ve görünür dalga boyu aralığında optik soğurma ölçümleri gerçekleştirilmiştir. TBY yöntemi ile üretilen ince filmler bakır elementinin buhar akısına katılamaması sebebi ile (Ge\textsubscript{1/3}In\textsubscript{2/3})Te\textsubscript{3} fazında kalmıştır. Tasarlanan hedef birleşik TBY yöntemi ile ulaşılamamış olsa da (100K-400K) sıcaklık aralığında \emph{Hall} etkisi ölçümleri sonucu ilgili ince filmin yarıiletken özelliği taşıdığı ve sıcaklık değişimine karşı iletkenlik tepkisinin dengeli olduğu sonucuna ulaşılmıştır. Elde edilen ince filmin sıcaklık özdirenç ölçüm sonuçları $\rho\simeq T^{n}\mathrm{e}^{-aT}$ yapısında fonksiyona, ortalama \%1 oranında katsayı (n,a) hata sapması içersinde uyum gösterdiği bulunmuştur. \emph{Dr. Blade} yöntemi ile üretilen CuInTe\textsubscript{2} ince filmleri stokiometrik oranda elde edilmiştir. Elde edilen ince filmin UV-görünür dalgaboyu soğurma ölçümleri (190-1100)nm dalgaboyu aralığında gerçekleştirilmiş ve enerji-band aralığı $E_{g}=1.115eV$ olarak bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
Ge doped CuInTe\textsubscript{2} thin films were obtained by thermal deposition method (TDM) and simple coating method \emph{Dr. Blade} using propilen glocol (PG) as a solving agent. Thin films obtained by both methods were characterized using X-ray diffractometer, scanning electron microscope (SEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS). Electrical characterization of thin films obtained by TDM were conducted by means of \emph{Hall} effect, whereas electrical and optical characterization of thin films obtained by \emph{Dr. Blade} method were conducted by means of temprature depended conductivity measurements and optical absorption spectroscopy in the visible light range. Thin films obtained by TDM, crystalized something like in the intermediate form as (Ge\textsubscript{1/3}In\textsubscript{2/3})Te\textsubscript{3} and Cu appered only as a trace element in the thin films after EDS analysis performed. However, even the desired target crystal could not be obtained, the resulted thin films conducted very stable electrical responce to a temprature variation in the range of 100K-400K where \emph{Hall} effect measurements were performed. The resistivity versus temprature measurement datas fit to the function of the form $\rho\simeq T^{n}\mathrm{e}^{-aT}$ with an excellent agreement to the experimental datas. Thin films obtained by \emph{Dr. Blade} method, crystalized as expected in the form CuInTe\textsubscript{2} and near-stoichiometric. Optical characterization made by UV-Visible spectroscopy in the range of (190-1100)nm wavelength and energy band gap found $E_{g}=1.115eV$
Benzer Tezler
- Fiziksel buhar biriktirme yöntemi ve doktor blade kaplama tekniği ile üretilen CuInSe2 ince filmlerin özelliklerinin araştırılması
Investigation of properties of CuInSe2 thin films produced by physical vapor deposition method and doctor blade coating technique
CANSU AYTUĞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiPamukkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KORAY YILMAZ
- Ga katkılı Ge tek kristallerinin czochralskı tekniği ile büyütülmesi ve pn-eklem Ge dilim geliştirilmesi
The growth of Ga doped Ge single crystals by czochralski technique and development of pn-junction Ge wafer
VEYSEL BARAN
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK
- Sb katkılı Ge kristallerin elektromanyetik parazit perdeleme özelliklerinin geliştirilmesi
The development of electromagnetic interference properties of Sb doped Ge crystals
YUNUS ÇAT
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Katkısız ve katkılı (Sb) Ge tek kristallerin büyütülmesi, yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Undoped and doped (Sb) Ge single crystal growth, investigation of structural and optical properties
YUNUS ÇAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Czochralski tekniğiyle katkısız ve sb katkılı ge tek kristallerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Growth and electrical characterization of undoped and sb-doped ge single crystals by czochralski technique
VEYSEL BARAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEMRAN SAĞLAM