Katkısız ve katkılı (Sb) Ge tek kristallerin büyütülmesi, yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Undoped and doped (Sb) Ge single crystal growth, investigation of structural and optical properties
- Tez No: 354229
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, katkılı ve katkısız Ge tek kristalleri Czochralski (CZ) kristal büyütme tekniği ile büyütüldü. (111) yönelimli büyütülen Ge tek kristallerin, yapısal ve optik özellikleri yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HRXRD), Fourier dönüşümlü kızılötesi spektroskopi (FTIR) ve spektroskopik elipsometre (SE) analiz yöntemleri ile karakterize edildi. Katkısız ve Sb katkılı Ge tek kristaller için HRXRD ölçümlerinden elde edilen w-2q X-ışını kırınım desenlerinden kristallerin 111 yöneliminde büyüdüğü görüldü ve örgü parametresi bulundu. FTIR analizleri sonucunda 2-12 µm aralığında optik geçirgenliğin >%45 olduğu görüldü. SE analiz yöntemiyle kristallerin kırılma indisi ve yasak enerji aralığı bulundu. Tüm bu sonuçlarla üretilen Ge tek kristallerin kızıl ötesi sistemlerde mercek veya optik pencere kullanımına uygun olduğu görüldü.
Özet (Çeviri)
In this study, Ge doped and undoped single crystals grown by Czochralski (CZ) crystal growth techniques. (111) oriented grown of Ge single crystals structural and optical properties high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and spectroscopic ellipsometry (SE) analysis methods were characterized. Undoped and Sb-doped Ge single crystals obtained w-2q X-ray diffraction pattern of the crystals from the HRXRD measurement was observed to have grown in the 111 orientation and lattice parameters were calculated. FTIR analysis showed that the optical transmittance in the range of 2-12 ?m is > 45% was observed.. By the method of analysis SE refractive index and forbidden energy gap of the crystals was calculated. According to these results, single crystals grown Ge lens or optical window for use in infrared systems have proved to be suitable.
Benzer Tezler
- Mobil telefon kullanımına bağlı oluşan 900-1800 mhz radyo frekans dalgalarının meydana getirdiği elektromanyetik alanın iliak kanat kemik mineral yoğunluğuna etkisi
The effect of electromagnetic fields on bone mineral density of iliac bone produced by 900-1800 mhz radio frequency waves dependent on cellular phone usage
BEŞİR ANDAÇ AKSOY
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2006
Ortopedi ve TravmatolojiSüleyman Demirel ÜniversitesiOrtopedi ve Travmatoloji Ana Bilim Dalı
PROF.DR. NEVRES HÜRRİYET AYDOĞAN
- Czochralski tekniğiyle katkısız ve sb katkılı ge tek kristallerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Growth and electrical characterization of undoped and sb-doped ge single crystals by czochralski technique
VEYSEL BARAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEMRAN SAĞLAM
- Burdur ili mermer sektörünün kurumsal ve ekonomik yapısı
İnstitutional and economic structure of marble sector in burdur
AHMET SARITAŞ
- Two-dimensional semiconductor pnictogens (Bi, Sb, and BiSb): next-generation photocatalysts for the visible-light/nır-driven photoredox C-H functionalization
İki boyutlu yariiletken pniktojenler (Bi, Sb ve BiSb): görünür/nir işik tetiklemeli fotoredoks C-H i̇şlevselleştirilmesinde yeni nesil fotokatalizörler
BUSE SÜNDÜ
- Bor karbür-tungsten esaslı kompozitlerin spark plazma sinterleme (SPS) yöntemi ile üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of Boron carbide-tungsten based composites by spark plasma sintering (SPS)
SALİH ÇAĞRI ÖZER
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Seramik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ ÇINAR ŞAHİN
PROF. DR. SERVET TURAN
