Ga1-xAlxAs/AlAs tabanlı kuantum kuyularına hapsedilmiş olan elektronun 1s ve 2s durumu: Nümerik hesaplamalar
1s and 2s state of the electron trapped in ''Ga1-xAlxAs/AlAs-based quantum wells: Numerical calculations
- Tez No: 666010
- Danışmanlar: PROF. DR. İLHAN ERDOĞAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Trakya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, Ga1-xAlxAs / GaAs malzemeleri ile oluşturulan kuantum kuyuları ele alınmıştır. Bu tür kuyulara hapsedilen bir elektronun, taban durum ve uyarılmış durum dalga fonksiyonları ile enerjileri hesaplanmıştır. Ele alınan malzeme ile oluşturulan kuantum kuyularına düzgün dış elektrik alan uygulanmış ve daha sonra yabancı atomun(safsızlık) ve hidrostatik basıncın etkisine bakılmıştır. Etkin kütle yaklaşımı göz önüne alınmış ve varyasyon yöntemi kullanılarak yaklaşık çözümler yapılmıştır. Literatür taraması yapıldıktan ve gerekli bilgiler elde edildikten sonra Fortran dilinde yazdığımız programlarla nümerik hesaplamalar yapılmış ve grafikler çizilmiştir. Hesaplamalar için yazılan Fortran programları da tezde sunulmuştur. Sonuç tartışma bölümünde, bulunan sonuçlar değerlendirilmiştir. Kuantum kuyularında hapsedilen bir elektronun enerjilerine, dış elektrik alanın, yabancı atomun konumunun ve hidrostatik basıncın etkisi gözlemlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, quantum wells created with Ga1-xAlxAs / GaAs materials are discussed. The energies of an electron imprisoned in such wells are calculated with ground state and excited state wave functions. A uniform external electric field was applied to the quantum wells formed with the material under consideration and then the effect of the impurity atom and hydrostatic pressure was investigated. The effective mass approach has been taken into consideration and approximate solutions have been made using the variation method. Numerical calculations were made and graphics were drawn with the programs we wrote in Fortran after literature review and necessary information were obtained. Fortran programs written for calculations are also presented in the thesis. In the conclusion discussion section, the results found are evaluated. The effects of external electric field, impurity atom position and hydrostatic pressure on the energies of an electron trapped in quantum wells have been observed.
Benzer Tezler
- Hidrojenik olmayan yapıların elektronik özellikleri
Electronic properties of non-hydrojenic structures
BARIŞ ÖZKAPI
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SEYFETTİN DALGIÇ
- Ga1-xAlxAs kuantum çukurlarında yüklü parçacıkların davranışları
Başlık çevirisi yok
HÜLYA METİN
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İSMAİL SÖKMEN
- GaAs-Ga1-xAlxAs kuantum çukurlarında yük taşıyıcıları ve eksitonların alan altındaki davranışları
Başlık çevirisi yok
HÜSEYİN SARI
- GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0,3) çoklu kuantum kuyuların elektronik özellikleri ve sıcak elektron güç kaybı mekanizmalarının magnetotransport ölçümlerle incelenmesi
Investigation of electronic properties and hot electron power loss mechanisms in GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0,3) multiple quantum wells by magnetotransport measurements
ENGİN ARSLAN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MEHMET CANKURTARAN
- Eğik elektrik alan altında GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum telindeki donor safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri
Bilding energies of donor impurities in GaAs/Ga1-xAlxAs quantum wire under the tilted electric field
SERKAN KILIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. ESİN KASAPOĞLU