Tio2/zno çift katmanlı yapıların yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, optical and electrical properties of tio2 / zno multi layer structures
- Tez No: 617124
- Danışmanlar: PROF. DR. OĞUZ DOĞAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Enerji, Bilim ve Teknoloji, Physics and Physics Engineering, Energy, Science and Technology
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Necmettin Erbakan Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada reaktif manyetik alan sıçratma sistemi ile ZnO ince filmler 200, 250, 300, 350, 400, 450 oC alttaş sıcaklıklarında SLG üzerine büyütülmüştür. Aynı sıcaklıklarda TiO2 hedef malzemesi kullanılarak manyetik alan sıçratma sistemi ile TiO2 ince filmler SLG üzerine büyütülmüştür. Elde edilen filmler yapısal, optik ve elektriksel olarak incelenmiştir. ZnO sıcaklığa bağlı olarak (002) ve (013) yönelimlerinde büyümüştür. Her iki malzemenin yasak bant aralıkları ZnO için ~3.2 eV ve TiO2 için ~3.55 eV bulunmuştur. Daha sonra 200 ve 450 oC'de ZnO yapısı üzerine TiO2 yapısı büyütülmüştür. Böylece iki tabakalı bir ince film elde edilmiştir. Tabakalı yapılar incelendiğinde anataz fazda olan TiO2'nin ZnO etkisiyle rutil faza dönüştüğü tespit edilmiştir. Meydana gelen iki-tabakalı yapının yasak bant aralığı ~3.1 eV tespit edilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, ZnO thin films were grown on SLG substrate at temperatures of 200, 250, 300, 350, 400, 450 oC by reactive magnetron sputtering system. TiO2 thin films were grown on SLG by magnetron sputtering system using TiO2 target material at the same temperatures. The films obtained were examined structurally, optically and electrically. ZnO grew at (002) and (013) orientations depending on temperature. Bandgaps of both materials were found to be ~ 3.2 eV for ZnO and ~ 3.55 eV for TiO2. The TiO2 structure was then grown on the ZnO structure at 200 ve 450 oC. Thus, a two-layer thin film was obtained. When the this structures were investigated, it was found that TiO2, which is in the anatase phase, was turn to rutile phase with the effect of ZnO. The band gap of the two-layer structure was determined as ~ 3.1 eV.
Benzer Tezler
- Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD
III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD`deki uygulamaları
ALI HAIDER
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
Assist. Prof. AYKUTLU DANA
DR. NECMİ BIYIKLI
- Semiconductor nanoparticles as heterogeneous photoinitiators for conventional and controlled radical polymerizations
Konvansiyonel ve kontrollü radikal polimerizasyonları için yarı iletken nanoparçıkların heterojen fotobaşlatıcı olarak kullanımı
SAJJAD DADASHI SILAB
- Polihedral oligomerik silseskuiokzan ve metal oksit katkılı nanokompozit aktif ambalaj film üretimi ve model gıdalarda raf ömrü üzerine etkisi
Nanocomposite active packaging film production containing polyhedral oligomeric silsesquioxane and metal oxide and effect on shelf life in model foods
HATİCE KAVUNCUOĞLU
- Structural and optical properties of modified titanium dioxide based films prepared by sol-gel dip-coating
Sol-jel daldırma yöntemi ile hazırlanan modifiye titanyum dioksit tabanlı filmlerin yapısal ve optik özellikleri
HOUMAN BAHMANI JALALI
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. LEVENT TRABZON
- Design and development of organolead halide perovskite solar cells
Organik kurşun halojenür perovskit güneş hücrelerinin dizaynı ve geliştirilmesi
BEYZA YILMAZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Kimya MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAMAZAN YILDIRIM