Al/Coronene/n-Si Schottky diyotlarının seri dirençlerinin hesaplanması
Calculation of serial resistors of Al/Coronene/n-Si Schottky diodes
- Tez No: 576486
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BEHZAD BARIŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Schottky tabanlı metal/organik/yarıiletken yapılar, üretim teknolojilerinin gelişmesi ve her geçen gün önemlerinin artması sonucunda dedektörler, güneş pilleri, anahtarlama elemanları, mikrodalga devre elemanları gibi birçok farklı kullanım alanları bulmuşlardır. Bir metal/organik/yarıiletken oluşumunda engel yüksekliğinin kontrolü, yüksek performanslı bir opto-elektronik devre elemanı tasarlamak için önemlidir. Devre elemanının performansı ve güvenirliği, o malzemenin atomik boyutta geometrik ve elektronik özellikleri ile yakından ilişkilidir. Bu kapsamdan yola çıkarak araştırmanın amacı: Metal/Organik/Yarıiletken yapıların, elektriksel karakteristikleri incelenerek, seri dirençlerinin hesaplanmasıdır. Buna göre; öncelikli olarak n-tipi Si yarıiletkenler ve kaplanan metaller farklı kimyasal yöntemlerle temizlendikten sonra, metal ve organik madde (CORONENE- C24H12) yarıiletken yapının üzeri vakumlu ortamda evaporasyon yöntemiyle kaplama yapılarak, Al/Coronene/n-Si Organik Schottky Diyot yapıları oluşturulmuştur. Elde edilen bu yapıların iki ucundan elektriksel bağlantı yapılarak karakterizasyon işlemleri yapılmıştır. Uygulama aşamasında her numune oda sıcaklığında I-V (Akım-Gerilim) ölçümleri bilgisayar kontrollü cihazlar ile alınarak diyot parametreleri hesaplanmıştır. Ayrıca farklı üretim yöntemleri kullanılarak, Schottky tabanlı Metal/Organik/Yarıiletken yapılarının elektriksel özelliklerinde değişiklik meydana getirilmenin de mümkün olduğu görülmüştür.
Özet (Çeviri)
Schottky based metal/organic/semiconductor structures, as a result of the development of production technologies and increasing importance with each passing day detectors, solar cells, switching elements, and microwave circuit elements have found many different uses. Control of barrier height in a metal/organic /semiconductor formation is important to design a high-performance opto-electronic circuit element. The performance and reliability of the circuit element is closely related to the geometric and electronic properties of that material in atomic dimensions. The aim of this research is: The calculation of series resistances of metal/organic/semiconductor structures by examining their electrical characteristics.According to this; n-type Si semiconductors and coated metals are firstly cleaned by different chemical methods. Al/Coronene/n-Si Organic Schottky Diode structures are formed by coating the metal and organic material (CORONENE- C24H12) on the semiconductor structure by vacuum evaporation method. Characterizations of these structures were made by electrical connection at both ends. At the application stage, diode parameters were calculated by taking I-V (Current-Voltage) measurements at room temperature with computer controlled devices. Furthermore, it was seen that it is possible to make changes in electrical properties of Schottky based Metal/Organic/Semiconductor structures by using different production methods.
Benzer Tezler
- Organik tabanlı güneş pillerinde kullanılabilecek ince filmlerin optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of thin films that can be used in organic based solar cells
EMRAH KULOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERDAR KARADENİZ
- Al-Si12 alaşımının metalik sodyum ile modifikasyonu
Modification of Al-Si12 alloy with metalic sodium
KADİR KOCATEPE
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
Metalurji MühendisliğiGazi ÜniversitesiMetalurji Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF.DR. Ö. ERTUĞRUL ATASOY
- Al-Mg-Si işlem alaşımlarında ön yaşlandırma ısıtma hızı ve kademeli yapay yaşlandırmanın mekanik özelliklere etkisi
Başlık çevirisi yok
A.TEVFİK ŞİMŞEK
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
Metalurji MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. REMZİ ÇETİN
- Al-Mn işlem alaşımlarında tav paremetrelerinin derin çekilebilirliğe etkileri
Başlık çevirisi yok
YAKUP DELİKÜÇÜK
Yüksek Lisans
Türkçe
1989
Metalurji MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. REMZİ ÇETİN
- Early stage phase transformations and coarsening of an Al-Li-Zr alloy
Al-Li-Zr alaşımında faz dönüşümleri ilk aşamaları ve çökelti büyümesi
MEHMET KADRİ AYDINOL
