Yüksek voltaj ve düşük kaçak akım için ald ile pasive edilmiş mıs hemt üretimi
Fabrication of mis hemt passivated by ald for high voltage and low leakage current
- Tez No: 560633
- Danışmanlar: PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Science and Technology
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, silikon üzerine büyütülen AlGaN/GaN heterojen yapı, metal-yalıtkan-yarı iletken (MIS) yüksek elekton mobiliteli transistörleri (HEMT) üretmek ve karakterize etmek için kullanılmıştır. Akım kaçaklarının azaltılması için kapı metalinin altına atomik tabaka kaplama (ALD) yöntemi kullanılarak alüminyum oksit (Al2O3) ara pasivasyon tabaka kaplaması yapılmıştır. Böylece, farklı kalınlıklarda Al2O3 kaplaması ile akım kaçaklarının minimum seviyeye indirilerek, yüksek gerilim ile çalışan MIS HEMT üretimi gerçekleştirilmiştir. Hazırlanan aygıtların kapı kaçak akımı, eşik voltajı ve kırılma gerilimi değişimleri incelenmiştir. Al2O3 kaplama kalınlığı arttığında eşik voltajının negatif yönde arttığı görülmüştür. Kapı kaçak akımı ve kırılma gerilimi Al2O3 ara pasivasyon malzemesi kullanıldığında iyileşmiştir. Kalınlık azaldıkça, kaçak akımın azaldığı ve kırılma geriliminin arttığı görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this study, AlGaN/GaN heterostructures on silicon have been used to fabricate and characterize metal-insulator-semiconductor (MIS) high electron mobility transistors (HEMT). Atomic layer deposited (ALD) aluminum oxide (Al2O3) gate dielectric has been used to decrease leakage current. Different Al2O3 layer thicknesses have been used to minimize current leakages to obtain a high voltage MIS HEMT. The trend in gate leakage, threshold voltage and breakdown voltage was studied for the fabricated devices. A negative shift in the threshold voltage was observed for increasing Al2O3 thickness. Gate leakage and breakdown voltage have improved with the use of Al2O3 gate dielectric. An increase in breakdown voltage and a decrease in gate leakage was observed as the passivation thickness decreased.
Benzer Tezler
- Al/p-Si (MS) VE Al/TiO2/p-Si (MIS) yapıların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin karanlık ve ışık altında incelenmesi
Preparation of Al/p-Si (MS) VE Al/TiO2/p-Si (MIS) structures and investigation of electrical characteristics by darkness and under illumination
BÜŞRA ZERDALİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YASEMİN ŞAFAK ASAR
- New micro-inverter for photovoltaic applications
Fotovoltaik uygulamalar için yeni mikro invertör
MURTALA ABDULMUMİNİ RAFİNDADİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Aydın ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MURTAZA FARSADI
- Yüksek güç elektroniği uygulamaları için GaN tabanlı FinFET yapısının optimizasyonu
Optimization of GaN-based FinFET structure for high power electronics applications
DOĞAN YILMAZ
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Low temperature growth, characterization, and applications of RF-sputtered srtio3 and BaSrTiO3 thin films
SrTiO3 ve BaSrTiO3 ince filmlerin düşük sıcaklıkta depolanması, karakterizasyonu ve uygulamaları
TÜRKAN BAYRAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI
- Corona characteristics and electromagnetic effects of high DC voltages
Yüksek doğru gerilim korona karakteristikleri ve elektromanyetik etkileri
SHAYAN SHAHI GHARAAGHAJI
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Prof. Dr. AYDOĞAN ÖZDEMİR