Al/p-Si (MS) VE Al/TiO2/p-Si (MIS) yapıların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin karanlık ve ışık altında incelenmesi
Preparation of Al/p-Si (MS) VE Al/TiO2/p-Si (MIS) structures and investigation of electrical characteristics by darkness and under illumination
- Tez No: 598566
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YASEMİN ŞAFAK ASAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yarı iletkenler, Semiconductors
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Al/p-Si (MS) yapılarının performansını arttırmak için, Atomik Katman Biriktirme (ALD) yöntemi ile Al ve p-Si arasına çeşitli kalınlıklarda TiO2 arayüzey katmanları kaplanmıştır. Bu yapıların elektriksel özellikleri hem karanlıkta hem de ışık altında ileri ve ters beslem akım, kapasitans ve iletkenlik- voltaj ölçümleri kullanılarak incelenmiştir. Bu amaçla Is,Rs, Nss, EF, NA gibi ana elektriksel parametreler bu ölçümlerden elde edildi ve karşılaştırıldı. Nss' nin enerji yoğunluğuna göre dağılım profilleri, voltaja bağlı bariyer yüksekliği ve idealite faktörü dikkate alınarak ileri beslem I-V verilerinden elde edildi ve yarıiletkenin ortasından değerlik bandının tepesine doğru arttığı görüldü. Işık altında Nss değerlerinde azalma yönünde en büyük değişim MIS2 yapısında gözlendi. Ayrıca, düşük yüksek frekans metodu ile de Nss değerleri elde edildi. MIS2 (8 nm yalıtkan tabakalı) yapısı, düşük idealite faktörü, düşük kaçak akımı, dolum faktörü ve veriminin yüksek oluşu gibi üstün özelliklerinden dolayı en iyisidir.İletkenlik ve kapasitans voltaj grafikleri yalıtkan tabaka kalınlığı, Nss ve aydınlatma etkilerine bağlı olarak tükenim ve birikim bölgelerinde dağılım gösterir. Nicollian ve Brews metodu kullanılarak Rs grafiği elde edildi. Rs grafikleri bütün numuneler için tükenim tabakasında bir pik verir. Bu pikin maksimum değeri artan yalıtkan tabaka kalınlığı ile tersinim bölgesine hareket eder. Ayrıca yapıların Ohm yasası ile hesaplanan Rs ve Rsh değerleri elektronik ve optoelektronik aygıtlar için uygun değerdedir.
Özet (Çeviri)
In order to improve the performance of Al/p-Si (MS) structures, TiO2 interface layers of various thicknesses were coated between Al and p-Si by Atomic Layer Deposition (ALD) method. The electrical properties of these structures were investigated by using forward , reverse feed current, capacitance-, conductance-voltage measurements both in the dark and under illumination. For this purpose, the main electrical parameters such Is, n, Rs, Nss, EF, NA were obtained from these measurements and compared. According to the energy density of Nss, the distribution profiles were obtained from the feed forward I- V data considering barrier height, ideality factor and it increased from the middle of the semiconductor to the top of the valence band. The greatest change in the direction of decrease in Nss values under illumination was observed in MIS2 structure. Nss values were obtained by low-high frequency method. MIS2 (with 8 nm insulating layer) structure is best due to its superior properties such as low ideality factor, low leakage current, filling factor, high efficiency. Conductivity and capacitance voltage graphs show distribution in depletion and deposition zones depending on insulating layer thickness, Nss and lighting effects. Rs graph obtained by Nicollian and Brews method. The Rs plots give a peak in the depletion layer for all samples. The maximum value of this peak moves to the inversion region with increasing insulating layer thickness. Rs and Rsh values of the structures calculated by Ohm's law are suitable for electronic and optoelectronic devices.
Benzer Tezler
- Kuzeybatı Trakya'da (Lalapaşa-Pınarhisar) İslambeyli formasyonu'nun ve bentonit oluşumlarının jeolojisi, mineralojisi, jeokimyası ve teknolojik özellikleri
The geology, mineralogy, geochemistry and technological properties of İslambeyli formation and bentonite occurences in Northwest Thrace basin (Lalapaşa-Pınarhisar)
BALA EKİNCİ ŞANS
Doktora
Türkçe
2018
Jeoloji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RECEP FAHRİ ESENLİ
- Türkiye'nin Batı Karadeniz bölgesi doğal meşcereleri ile duglas (Pseudotsuga menziesii (Mirb.) Franco) ağaçlandırmalarının toprak özellikleri ve meşcere karakteristikleri açısından değerlendirilmesi
Comparison as to stand characteristics and soil properties of duglas (Pseudotsuga menziesii (Mirb.) Franco) afforestrations and natural stands in the West Black Sea region, Turkey
JEUMA AHMED HAMED ESHAIBI
Doktora
Türkçe
2021
Ormancılık ve Orman MühendisliğiKastamonu ÜniversitesiOrman Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZGİN AYAN
- Solution-processed thin film deposition and characterization of multinarychalcogenides: Towards highly efficient Cu2BaSn(S,Se)4 solar devices
Solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş çok elementli kalkojenitlerin ince film kaplama ve karakterizasyonu: Yüksek verimli Cu2BaSn(S,Se)4 bazlı güneş soğuran cihazlara doğru
BETÜL TEYMUR
Doktora
İngilizce
2022
Makine MühendisliğiDuke UnıversıtyMalzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DAVİD B.MİTZİ
- Volkanik bazalt kayaçlarından cam-seramik malzeme üretim koşullarının araştırılması ve özelliklerinin incelenmesi
The investigation of production conditions and properties of glass-ceramic materials from the volcanic basalt rocks
ŞENOL YILMAZ
Doktora
Türkçe
1997
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. VOLKAN GÜNAY
- Organik tabanlı güneş hücrelerinde kullanılabilecek ftalosiyaninlerin hesapsal olarak araştırılması, tasarımı ve sentezi
Design, computational screening and synthesis of novel phthalocyanines as organic based solar cell materials
MERAL ARI