Geri Dön

Nano yapılı uçucu olmayan bellek aygıtlarının üretimi ve karakterizasyonu

Fabrication and characterization of nanoparticle non-volatile memory

  1. Tez No: 531213
  2. Yazar: FURKAN KURUOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MERİH SERİN, DOÇ. DR. MURAT ÇALIŞKAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, uçucu olmayan bellek uygulamalarında kullanılma potansiyeli olan düzenli Au nano noktalara sahip MOS kapasitörün üretimi ve karakterizasyonu amaçlanmıştır. Hızlı Termal Oksidasyon ile p-tipi Si üzerine ince oksit tabakası oluşturulmuş ve Elektron Demeti ile Litografi (electron Beam Lithography, EBL) yöntemi kullanılarak nanoparçacıkların boyutları ve konumları kontrol edilmiştir. EBL kullanılarak 30 kV hızlandırma geriliminde tekli noktalar olarak yazdırma işlemi gerçekleştirilmiştir. Litografi işlemi ardından SEM görüntüleri üzerinden işlem kalitesi değerlendirilmiştir. Termal Buharlaştırıcı kullanılarak son kalınlık 13 nm olacak şekilde, 3 Å/s kaplama hızı ile Au kaplanmış ve metal nanoparçacıklar oluşturulmuştur. ImageJ programı yardımıyla elde edilen nanoparçacıkların dağılım istatistikleri alınan SEM görüntüleri üzerinden elde edilmiştir. RF saçtırma tekniği nanoparçacıkların üzeri 30 nm kalınlığında kapı oksidi kaplanmıştır. C-V ve I-V ölçümleri ile yapının yük tutma becerisi incelenmiştir. SEM analizleri sonucu elde edilen nanoparçacık yoğunluğu 10^10 NP/inç2'dir. Yazma silme gerilimi, çalışma hızı ve yük saklama süresi gibi çalışma parametreleri yapılan elektriksel analizler sonucu belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, we fabricated the well-ordered Au nanodot array containing MOS capacitors to investigate the potential to be used in non-volatile memory applications. The thin SiO_2 layer was grown on Boron doped p-type Si wafer by using Rapid Thermal Oxidation method. Electron Beam Lithography (EBL) was performed to control the positions and diameters of nanoparticle array precisely. EBL was performed as single dot exposure by using 30 kV acceleration voltage. SEM images of developed nanodots were taken to examining the exposure and develop quality. The samples were coated with Au at a rate of 3 Å/s Thermal Evaporator and the target thickness was set 13 nm. The ImageJ software used for SEM image analysis and nanoparticle distribution statistics obtained. 30 nm top gate oxide was evaporated by using RF Sputtering. C-V and I-V measurements were carried out to analyze the charge storage properties of the sample. SEM analyses showed that the nanodot density was 10^10 dot per square inch. Operation parameters like program and erase voltage, program speed and retention determined from the electrical characterizations.

Benzer Tezler

  1. Computational design and analysis of nanostructured materials for neuromorphic engineering

    Neuromorfik mühendislik için nano yapılı malzemelerin hesaplamalı tasarımı ve analizi

    AYKUT TURFANDA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HİLMİ ÜNLÜ

  2. Nikel (II) ve demir (III) nitrit komplekslerinin sulu ortamdaki ardışık oluşumunun potansiyometrik ve spektrofotometrik yöntemle incelenmesi

    Potentiometric and spectrophotometric studies on the stepwise formation of cmoplexes of nicel (II) and iron (III) nitrites in aqueous solution

    F. BEDİA ERİM

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. ERTUĞRUL AYÇA

  3. Glucose oxidase enzimi substrat, inhibitör ve aktivatörlerine ait kinetik parametrelerin tayini

    Başlık çevirisi yok

    TEVFİK ATALAY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    BiyokimyaSelçuk Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. SALİH YILDIZ

  4. Çift ton çok frekanslı işaretlerin üretilmesi ve çift ton çok frekanslı işaret alıcısındaki sayısal filtrelerin tasarımı

    Dual tone multifrequency (DTMF) signal generation and realization of digital filters in the DTMF receiver

    ERSOY CEYLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1990

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. AHMET DERVİŞOĞLU

  5. Naftalinin seryum (IV) ile oksidasyon kinetiği ve mekanizması

    Oxidation of kinetic of naphtalene by CE (IV)

    B.FİLİZ ŞENKAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. SEZAİ SARAÇ