Geri Dön

Investigation of InP and SiGe nanomaterials via molecular dynamics simulations

InP ve SiGe nanomalzemelerinin moleküler dinamiği benzetişimleri metodu ile araştırılması

PDF İndir

  1. Tez No: 521843
  2. Yazar: NADİRE NAYİR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞAKİR ERKOÇ, DR. ÖĞR. ÜYESİ EMRE TAŞCI
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalısmada InP ve Si/Ge olmak üzere iki farklı nanomalzeme klasik molekül di- namigi benzetisimleri ile incelenmistir. InP nanoçubuk ve nanoparçacıkların yapısal ve dinamik özellikleri sıcaklık, basınç, sogutma gibi çesitli çevresel sartlar altında arastırılmı ̧stır. Tezin ikinci kısmında ise, amorf germanyumun Si alttası üzerinde kristallesme sürecini tanımlayabilecek ReaxFF reaktif kuvvet alanı gelistirilmesi hede- flenmistir. Bunun için ilk önce Si/SiO2 arayüzündeki oksijen ile iliskili noktasal bozukluk ve onların arayüz boyunca difuzyonlarını tanımlamak için Fogarty ve çalısma arkadasları tarafında gelistirilen RexFF reaftif kuvvet alanının yeniden parametrizasy- onu gerçekle ̧stirilmistir. Ayrıca Ge içerisindeki oksijenden kaynaklı noktasal bozuk- luk ve onun Ge içinde difuzyonunun, ve Ge/GeO2 arayüzünün farklı sıcaklıklar al- tındaki benzeti ̧simlerini gerçeklestirebilmesi için Zheng ve çalısma arkadaslarının parametrizasyonunu yaptığı ReaxFF reaktif kuvvet alanının bu çalısmada yeniden optimizasyonu yapılmıstır. Geli ̧stirilen her iki kuvvet alanının geçerliligi moleküler dinamik benzetisim metodu ile test edilmi ̧stir ve her iki kuvvet alanı da geçerlilik testini basarıyla geçmistir.

Özet (Çeviri)

In this dissertation, InP and Si/Ge nanomaterials were investigated via classical molec- ular dynamics simulations. Structural and dynamical properties of InP nanorods and nanoparticles were examined under different conditions such as heating, cool- ing, strain etc. In the second part of this dissertation, a ReaxFF reactive force field development has been targeted to provide a more generalized description for the sim- ulation of the crystallization process of amorphous Ge on Si substrate. For this aim, the ReaxFF reactive force developed by Fogarty et al. was re-parametrized for O- interstitial point defect formation in Si/SiO 2 interface. Additionally, the ReaxFF re- active force field initially parametrized by Zheng et al. was re-optimized for O-related point defect and its migration in Ge, and the heat treatment of Ge/GeO2 interface. To establish the force field reliability, both force fields were subjected to the validation process further based on MD simulations.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    382765

    Investigation of structural, optical and electrical properties of MBE grown Si-Ge thin films

    MBE ile büyütülmüş Si-Ge ince filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    İSA ŞEKER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFatih Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BAYRAM ÜNAL

  2. Tez No

    134367

    Epitaksiyel ince yarıiletken filmlerin ikincil iyon kütle spektrometre parametrelerinin incelenmesi

    Investigation of parameters of the epitaxial thin semiconductor films obtained from SIMS

    SEVİLAY KÖSE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ENGİN BAŞARAN

  3. Tez No

    782429

    Ti2CoZ(Z=Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, P, As, Sb) ve Ti2Q(Q=Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu,Zn)Si Heusler alaşımlarının elektronik ve manyetik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electronic and magnetic properties of Ti2CoZ(Z=Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, P, As, Sb) and Ti2Q(Q=Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)Si Heusler alloys

    KOSTA KARANİKOLA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KEMAL ÖZDOĞAN

  4. Tez No

    376142

    p-Si, GaAs ve ge alttaşlar üzerine Al:ZnO filmlerin büyütülmesi; yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The deposition of Al:ZnO films on p-Si, GaAs and ge substrates: The investigation of structural, optical and electrical properties

    GÜRKAN KURTULUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERGÜN KASAP

  5. Tez No

    753641

    Pv panellerde hücre malzemesi ve çevre koşullarının değişimine bağlı olarak panel sıcaklığı ile elektrik üretiminin teorik model ve yapay sinir ağlarıyla incelenmesi

    Investigation of panel temperature and electricity production with theoretical models and artificial neural networks depending on the change of cell material and environmental conditions in PV panels

    HAKAN AKAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKaradeniz Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ HAKAN KAHVECİ

Geri Dön