Çok katlı yarı iletken yapıların darbeli lazerle ışınlanmasının nümerik modellenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 4652
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ATİLLA AYDINLI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1988
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ay ÖZET Çok katlı yapxlara sahip yarıiletkenlerin darbeli lazerle ışınlanmasında örnek içerisinde oluşan sıcaklık dağılımını elde etmek -için, kaynak terimli ısı difüzyon denkleminin tek boyutta nümerik çözümü gerçekleştirildi. Bunun için ileri sonlu farklar metodu (Forward Finite Uifference Method} kullanılarak FORTRAN 77 programlama dilinde bir program geliştirildi. Tek k-Si için erime ve buharlaşma eşik enerjileri saptana rak geliştirilen programın çalışması ve güvenirliği denen di. k-Si üzerinde ince a-Si tabaka J-ç-in de erime, buharlaş ma ve epitaksiyel büyüme eşik enerjileri elde edildi. Eri me derinliğinin darbe genişliği ve enerji yoğunluğuna ba ğımlılığı incelendi. Erime eşâk enerji değerinin darbe ge nişliğine ve a-Si tabakanın kalınlığına bağımlılığı araş tırıldı. Programda yeni düzenlemeler yapılarak explosive kristalleşme olayı elde edildi... Explosive kristalleşme so nucu oluşan yapıların enerji yoğunluğuna ve darbe genişli ğine bağımlılığı incelendi. Geliştirilen programda yeni. düzenlemeler yapılarak çok katlı yapıların erime ve katılaşması incelendi. Prog ramda yeni düzenlemeler yapıldı. Böyle örneklerde, darbe_ genişliği ve enerji yoğunluğuna bağımlı olarak elde edilen değişik yapılar incelendi.
Özet (Çeviri)
V SUMMARY Numerical solution of one dimensional heat diffusion equation with a source term is realized to obtain temperature distributions in pus led laser irradiated multilayer semi conductor structures. A program in ^FORTRAN 77 using forward finite difference method is developed. The reliability of the program was tested by calculating melting and evaporation thresholds of single crystal silicon, In addition melting and evaporation thresholds for a thin a-Si layer on c-Si is also obtained. The dependence of melt depth on pulse duration and energy density is investigated. The dependence of melting threshold on pulse duration and the thickness of a-Si layer is studied. The program is modified to obtain explosive crystallization in a-Si. The dependence of structures due to explosive crystallization on pulse duration and energy density is studied. With further mo&ifacations to the program melting and solidification of multilayer structures is studied. Various structures that are obtained during irradiation of multi layer samples is studied as a function of pulse duration and energy density.
Benzer Tezler
- The Effect of heat treatment on lifetime in silicon cell materials
Başlık çevirisi yok
TUGAY ÇIKLA
Yüksek Lisans
İngilizce
1988
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiYRD. DOÇ. DR. MÜZEYYEN SARITAŞ
- Manyetik ve elektrik alanlardaki demir, bakır, pirinç ve P-tipi silisyum numunelerinden compton saçılması
Compton scattering from iron, copper, brass and P-type silicon in magnetic and electric fields
DEMET DEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YUSUF ŞAHİN
- Amorf yarı iletken a-Si:H/a- SİNx:H çokkatlı filimlerin elektrik ve optik özellikleri
Electrical and optical properties of amorphous semiconducting a-Si i H/a-SİNx:H multilayer films
ESİN ÜLGEN GÜNDEM
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- Üç boyutlu entegre devrelerin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
YEŞİM GÜRCAN MİRZA
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHSİN ZOR