Geri Dön

Au/TiO2/n-Si (MIS) yapının elektriksel özelliklerinin incelenmesi

The investigation of electrical properties of Au/TiO2/n-Si (MIS) structure

  1. Tez No: 460945
  2. Yazar: HAKAN TANRIKULU
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Au/TiO2/n-Si (MIS) yapının elektriksel özellikleri, 240-400 K sıcaklık aralığında gerçekleştirilen akım-voltaj (I-V) ve 1 kHz-1 MHz frekans aralığında gerçekleştirilen kapasitans/kondüktans-voltaj (C/G/ω-V) ölçümleri kullanılarak incelendi. Titanyum dioksit (TiO2) yalıtkan tabaka, n-Si üzerine radyo frekans (RF)-magnetron püskürtme yöntemi ile hazırlandı. MIS yapının idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (ΦB) seri direnç (Rs) gibi elektriksel parametreleri doğru beslem I-V ölçümlerinden belirlendi. Termiyonik emisyon (TE) teorisinden, ΦB değeri artan sıcaklıkla artarken, n değerinin azaldığı bulundu. I-V karakteristiklerindeki bu anormal davranış, engel yüksekliklerinin homojensizliğinden kaynaklanmaktadır. Bu homojensizlik engel yüksekliklerinin Gauss dağılımı ile açıklanabilir. Ayrıca, hem C hemde G/ω değeri artan frekans ile azalmaktadır. C ve G/ω'nın bu frekans bağımlılığı, arayüz durumlarının varlığına atfedilmektedir. Buna ilaveten, fermi enerji seviyesi (EF), verici katkı atomların konsantrasyonu (ND), engel yüksekliği (ΦB) ve tükenim tabakası genişliği (WD) gibi parametreler C-2-V eğrilerinden elde edildi. Elde edilen deneysel sonuçlar, hazırlanan MIS yapısının elektriksel parametrelerinin hem frekans hem de sıcaklığa oldukça bağlı olduğunu göstermiştir.

Özet (Çeviri)

The electrical properties of Au/TiO2/n-Si (MIS) structure have been investigated by using current-voltage (I-V) performed in the temperature range of 240-400 K and capacitance/conductance-voltage (C/G/ω-V) performed in the frequency range of 1 kHz-1 MHz measurements. The titanium dioxide (TiO2) insulator layer was prepared by radio frequency (RF)-magnetron sputtering method on n-Si substrate. The electrical parameters such as ideality factor (n), barrier height (ΦB) and series resistance (Rs) of the MIS structure were determined from the forward bias I-V measurements. From thermionic emission (TE) theory, it was found that the n value decreases while the ΦB value increases with increasing temperature. This anomaly behavior in the I-V characteristics is due to the non-homogeneity of the barrier heights. The inhomogeneities can be explained by the Gaussian distribution of barrier heights. Also, both C and G/ω value decrease with increasing frequency. The frequency dependence C and G/ω is attributed to the presence of interface states. In addition, the parameters such as the fermi energy level (EF), concentration of donor doping atoms (ND), barrier height (ΦB) and depletion layer width (WD) were obtained from C-2-V curves. The obtained experimental results showed that the electrical parameters of the prepared MIS structure considerably depend on both frequency and temperature.

Benzer Tezler

  1. Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi

    Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures

    ARDEN ERKOL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ

  2. Nano-fotokatalitik malzeme üretimi, karakterizasyonu ve fotokatalitik performans incelemesi

    The production and characterization of nano-photocatalytic materials and investigation of their photocatalytic performances

    EMRE ALP

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHAMMET KÜRŞAT KAZMANLI

    DOÇ. DR. AZİZ GENÇ

  3. Quantum group structures associated with invariances of some physical algebras

    Bazı fiziksel cebirlerin değişmezliği ile ilgili kuantum grup yapıları

    UFUK KAYSERİLİOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. METİN ARIK