Geri Dön

B-Kalay monokristalinde dislokasyon yoğunluğu ile kristal kesiti arasındaki ilişki

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 45061
  2. Yazar: İBRAHİM KARAMAN
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. BAHATTİN DÜZGÜN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Kalay, Kristaller, Tin, Crystals
  7. Yıl: 1995
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Eğitimi Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET Bu araştırmada kullanılan (3-Sn monokristalleri %99.99 saflıktadır. Kristaller yaklaşık 10“”2 torr'luk bir basınçta modifiye Bridgman metodu kullanmak suretiyle eritilerek büyütülmüş ve ger i-yans imal ı Laue metodu ile yönlendirilmiştir. Bu işlemler sonunda kristal yönelimlerinin hemen hemen [110] doğrultusuna paralel olduğu görülmüştür. Büyütülen kristaldeki dislokasyon yoğunluğu tesbiti için dağlama tepeciği tekniği kullanılmıştır. Bunun için kristaller terkipleri farklı solüsyonlarda önce parlatılmış, sonra dağlanmıştır. Dağlama sonunda kristalin (001) yüzeyinde oluşan dağlama tepeciklerinin fotoğrafları bir metal mikroskopu kullanılarak çekilmiştir. Bu fotoğraflardan faydalanarak kristal kesiti ile dislokasyon yoğunluğu arasındaki ilişki araştırılmış, kristal kesiti arttıkça dislokasyon yoğunluğununda arttığı gözlenmiştir.

Özet (Çeviri)

11 SUMMARY P~Sn monocrystals used in this investigation were a purity of 99.99%. The crystals were grown from the melt by using the modified Bridgman method in a vacuum at about 10~2 torr and ' were oriented by back-reflection Laue method. As a result of these operations, it was seen that orientations of crystals were almost parallel to the [110]. Etch hillock tecnique was used in order to determine dislacation density of grown crystals. For this, crystals were first polished and then etched with a solutions that consist of different components. As a result of etching, photographs of etching hillocks occuring on the (001) surface of crystal were taken by means of metal microscope. The relationship between crystal crosscut and dislocation density was searched using those photographs and finally it was observed that dislocation density increases together with crystal crosscut.

Benzer Tezler

  1. Oda sıcaklığında B-Sn monokristalinde kayma sistemlerinin araştırılması ve peierls-nabarro zoru (Gp)nun hesaplanması

    Başlık çevirisi yok

    A.ERCAN EKİNCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fen Bilimleri Eğitimi Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BAHATTİN DÜZGÜN

  2. Türkiye'de video ve kitle kültürü ilişkisi

    Relationship of video and mass culture in Turkey

    M.AYŞE KALAY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    İletişim BilimleriAnadolu Üniversitesi

    DOÇ. DR. KEZBAN GÜLERYÜZ

  3. Pb1-xSnxTe yarıiletkeninin manyetik ve optiksel özellikleri

    Magnetic and optical properties of Pb1-xSnxTe semiconductor

    HASAN TUNER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2000

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Eğitimi Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. SİBEL GÖKDEN

  4. Asur ticaret kolonileri çağında M.Ö. (2000-1750) Anadolu`da sosyal ve ekonomik durum

    Social and economic (financial) condition in the era of B.C. (2000-1750) Assyrian merchant colonies

    YASEMİN ÖZSOY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Eski Çağ Dilleri ve KültürleriAnkara Üniversitesi

    Eskiçağ Dilleri ve Kültürleri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HÜSEYİN SEVER

  5. Malign melanomda gamma prob ile sentinel nod biyopsisi

    Lymphamtic mapping and sentinel lymph node biopsy in melanoma

    ÖZLENEN GONCA ÇİVİ

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Radyoloji ve Nükleer Tıpİstanbul Üniversitesi

    Nükleer Tıp Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. HALUK B. SAYMAN