Al / Rhodamine - 101 / n-GaAs Schottky Engel diyotlarının hazırlanması ve iletim mekanizmalarının geniş bir sıcaklık aralığında incelenmesi
The preparatinon of Al / Rhodamine - 101 / n-GaAs Schottky Barrier diodes and the investigation of their cundiction mechanisms in the wide temperature range
- Tez No: 408841
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Al/Rhodamine-101/n-GaAs Schottky engel diyotlarının (SBDs) elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/w-V) ölçüm metotları kullanılarak geniş bir sıcaklık aralığında incelendi. Artan sıcaklık ile idealite faktöründe (n) bir azalma ve sıfır-beslem engel yüksekliğinde ( ? Bo) ise bir artma olduğu gözlendi. ? Bo ve n değerlerinin bu şekildeki davranışı, metal/yarıiletken (M/Y) ara yüzeyinde oluşan engel homojensizliğine atfedilebilir ve bu durum Gaussian dağılımı (GD) ile açıklanabilir. Diyot idealite faktörünün sıcaklığa çok bağlı olması, M/Y ara-yüzeyindeki organik tabakada oluşan akım sürecinin, orta ve yüksek gerilim bölgelerindeki akım iletiminin uzay-yük sınırlaması mekanizmasının etkin olabileceğini göstermektedir. Böylece, metal/n-GaAs Schottky diyotlarda kullanılan Rh101 ara-yüzey tabakası, M/Y arasında oluşan ? Bo değerini oldukça değiştirir. Sonuç olarak, geleneksel Al/n-GaAs Schottky diyotlar için 290 K de elde edilen ? Bo değeri, bu çalışmadaki Al/Rh101/n-GaAs için elde edilen 0,68 eV değerlerinden önemli ölçüde yüksek olduğu belirlendi. C ve G/w değerlerinin de sıcaklığa bağlı olduğu gözlendi. Kapasitans verilerinde, tüm sıcaklıklar için doğru ön-gerilim bölgesinde negatif kapasitans olayı gözlendi. Kapasitans verilerindeki bu davranış, M/S ara-yüzeyinde lokalize olmuş ara-yüzey durumlarının kaybıyla veya elektrotlar arasında yüklerin azalmasıyla açıklanabilir. Buna ilaveten, gerçek C-V eğrisini elde etmek için 290 K'deki C-V eğrisi, seri direnç (Rs) değeri dikkate alınarak düzeltildi.
Özet (Çeviri)
The electrical characteristics of Al/Rhodamine-101/n-GaAs Schottky barrier diodes (SBDs) have been investigated by using the current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurement methods in the wide temperature range. It has been seen a decrease in ideality factor (n) and an increase in the zero-bias barrier height ( ? Bo) with an increase in temperature. It has been seen that such a behavior of the barrier height (BH) and n obey Gaussian distribution of the BHs due to the BH inhomogeneities at the metal/semiconductor (M/S) interface. The very strong temperature dependence of ideality factor of the structure has shown that the current processes occurring in the organic layer at the MS interface would be a possible candidate such as space-charge limited conduction in determining the current at the intermediate and high bias regimes. Furthermore, it has been shown that the Rh101 can be used to vary effective BHs for the metal/GaAs Schottky diodes. As a result, it has been determined that the BH value for conventional Al/n-GaAs SBD is remarkably higher than our own values of 0,68 eV obtained for the Al/Rh101/n-GaAs at 290 K. The values of C and G/w were also found to be a strongly function of temperature. The negative capacitance phenomenon has been observed in the C-V plot for each temperature. Such behavior of C can be explained by considering the loss of interface charges localized at M/S interface and the decrease of charges between two electrodes. In addition, the C-V plot at 290 K were corrected by considering the series resistance (Rs) effect to obtain the real diode capacitance.
Benzer Tezler
- Mikro/nano bor nitrür ilaveli polilaktik asit (PLA) kompozit filmlerin geliştirilmesi, karakterizasyonu ve gıda validasyonu
Development and characterization of micro/nano boron nitride added polylactic acid (PLA) composite films and food validation
İLKNUR ARA
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Gıda MühendisliğiSakarya ÜniversitesiGıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZEHRA AYHAN
- Toksik metallerin su ve gıda örneklerinde tayini için tek damla mikro ekstraksiyon sisteminin geliştirilmesi ve otomasyonu
Development and automation of single drop micro extraction system to determine toxic metals in water an food samples
PINAR ÇAKIR
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
KimyaHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURAY ÖĞÜN ŞATIROĞLU
- Rodamin B tayini için MOF temelli potansiyometrik sensör geliştirilmesi
Development of MOF based potentiometric sensor for determination of rhodamine B
NURCAN KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
KimyaVan Yüzüncü Yıl ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜLŞAH SAYDAN KANBEROĞLU
- Refrakter altın cevherlerinin tanımlayıcı liç tekniği ile biyooksidasyona uygunluğunun araştırılması
Deportment of gold in refractory gold ores by diagnostic leaching technique to estimate their suitability for biooxidation pre-treatment
YÜCEL ÖZSOY
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiCevher Hazırlama Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BİRGÜL BENLİ
- Termofilik bakterilerden lipaz üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of lipase by thermophilic bacteria
ALİ KOÇYİĞİT