Yarıiletken polimer (P3DMTFT) arayüzeyli Au/n-GaAs Schottky yapının akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) özelliklerinin karakterizasyonu )
Characterization of current-voltage (I-V) and capacitance-voltage-frequency (C-V-f) features of Au/n-GaAs Schottky structure with interface semiconducting polymer (P3DMTFT)
- Tez No: 392009
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyodları, Schottky engelleri, Seri direnç, İletken polimerler, Schottky diodes, Schottky barriers, Series resistance, Conducting polymers
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au Schottky diyodunun elektriksel özellikleri oda sıcaklığında araştırıldı. Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au Schottky diyodunun üretiminde [100] doğrultusunda büyütülmüş, 1,01x10-1 Ω-cm özdirence sahip n-GaAs kullanılmıştır. Akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) ölçümleri yardımıyla diyot parametreleri elde edilmiştir. Diyodun akım-gerilim (I-V) karakteristikleri Termoiyonik Emisyon teorisi kullanılarak incelendi. Akım-gerilim (I-V) karakteristiğinden sıfır beslem engel yüksekliği (Φ_b0 ) ve idealite faktörü (n) bulunmuştur. Aynı zamanda idealite faktörü (n), engel yüksekliği ( Φ_b) ve seri direnç (R_s) değerleri Cheung ve Norde fonksiyonları kullanılarak hesaplandı. Bu farklı yöntemlerle elde edilen diyot parametreleri birbiri ile karşılaştırıldı. Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au Schottky diyodunun frekansa bağlı kapasite-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri seri direnç (R_s) ve arayüzey durumlarının (N_ss) etkisi dikkate alınarak geniş frekans aralığında incelendi (100 kHz-3 MHz). Ayrıca Schottky diyodunun; difüzyon potansiyeli (V_d), engel yüksekliği (Φ_b), katkılanan verici atomlarının yoğunluğu (N_D), Fermi seviyesi (E_F) gibi karakteristik parametreleri 3 MHz için C-2-V karakteristiğinden elde edilmiştir. Deneysel sonuçlar, hazırlanan Schottky diyodun elektriksel karakteristiklerinde, engel yüksekliklerindeki homojensizliklerin, arayüzey durumlarının ve seri direncin önemli bir rol oynadığını göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, electrical properties of Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au Schottky diode was investigated at room temperature. n-GaAs with [100] orientation which has 1,01x10-1 Ω-cm resistivity has been used to fabricate Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au Schottky diode. The characteristic parameters of the diode have been obtained by using the current-voltage (I-V) and the capacitance-voltage-frequency (C-V-f) measurements. Current-voltage (I-V) characteristics of diode were studied by using Thermionic Emission theory. A zero bias barrier height (Φ_b0 ) value and ideality factor (n) value have been obtained from current-voltage (I-V) characteristic. Also, the values of ideality factor (n), barrier height ( Φ_b) and series resistance (R_s) were obtained by using the Cheung's and Norde methods. The parameters that obtained from the different methods are compared with each other. Frequency dependent capacitance-voltage (C−V) and conductance-voltage (G/w−V) characteristics of the Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au structure have been investigated by considering the effect of series resistance (R_s) and interface states (N_ss) in the wide frequency range (100 kHz-3 MHz). Furthermore, the characteristic parameters of Schottky diode such as diffusion potential (V_d), barrier height 〖(Φ〗_b), doping density of donor atoms 〖(N〗_D), Fermi level (E_F) were determined from C-2-V characteristic for 3 MHz. Experimental results show that inhomogeneities in the barrier heights, interface states and series resistance have played an important role in the electrical characteristics of prepared Schottky diode.
Benzer Tezler
- Au/yarıiletken polimer (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky yapının elektriksel parametrelerinin sıcaklık bağımlılığı
The analysis of temperature dependence of Au/semiconductor polymer (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky diode parameters
YILMAZ KANSIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Au/ poli(3-sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-tipi InP/In yapının elektriksel karakterizasyonu
Electricalcharacterization of Au/poly (3-substitutethiophene) (P3DMTFT) /n-type lnP/ln structures
SELDA KARATAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Metal-polimer-yarıiletken (MPS) yapıların elektrik ve dielektrik özelliklerinin geniş frekans aralığında incelenmesi
The investigation of electrical and dielectric properties of metal-polymer-semiconductor (MPS) structures in the wide frequency range
AHMET KAYA
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Metal-polimer-yarıiletken (MPY) yapıların hazırlanması, elektriksel ve dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The preparation of metal-polymer-semiconductor (MPS) and investigation of their electrical and dielectric properties based on frequency and temperature
GÜLÇİN ERSÖZ DEMİR
Doktora
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDüzce ÜniversitesiElektrik-Elektronik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İBRAHİM YÜCEDAĞ
- Polimer güneş pillerinde yarıiletken ince filmlerin elektron taşıyan tabaka olarak kullanılması
Using semiconductor thin films as a electron transport layer in polymer solar cells
SİNEM BOZAR