Au/ poli(3-sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-tipi InP/In yapının elektriksel karakterizasyonu
Electricalcharacterization of Au/poly (3-substitutethiophene) (P3DMTFT) /n-type lnP/ln structures
- Tez No: 296809
- Danışmanlar: PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyodları, Seri direnç, Schottky diodes, Series resistance
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT) iletken polimer arayüzey tabakasına sahip Au/n-InP kontağın elektriksel özellikleri çalışıldı. Polimer arayüzeyli Au/n-InP kontağın imali için, (100) yönelimli, 500 ?m kalınlığında n-lnP kristali kullanıldı. Au/Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT)/n-InP/ln yapı diyot özelliği göstermiştir Akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümlerinin yardımıyla, diyodun karakteristik parametreleri elde edilmiştir. Bütün ölçümler oda sıcaklığında ve karanlıkta gerçekleştirilmiştir. Au/Poli(3-sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-InP/ln yapısının idealite faktörü ve engel yüksekliği değeri I-V karakteristiğinden 0,70 eV ve 2,01 olarak elde edilmiştir. Diyot ideal olmayan davranış göstermiştir. Oda sıcaklığında Au/P3DMTFT/n-InP/ln diyodunun idealite faktörü ve engel yüksekliği değeri, geleneksel Au/n-lnP Schottky diyodundan önemli ölçüde büyük bulunmuştur. Seri direnç değeri Cheung fonksiyonları ve Norde fonksiyonları yardımıyla bulunmuştur. Cheung fonksiyonlarından elde edilen kontak parametreleri ile Norde fonksiyonundan elde edilen kontak parametreleri karşılaştırılmıştır. Diyodun ters beslem C?2?V karakteristiğinden taşıyıcı yoğunluğu 1,37×1015 cm-3 ve engel yüksekliği 0,379 eV olarak elde edilmiştir. C-V ölçümlerinden bulunan engel yüksekliği değeri I-V ölçümlerinden bulunan engel yüksekliği değerinden daha küçüktür. Engel yükseklikleri arasındaki farklılık aşırı kapasitenin varlığı ve engel yüksekliğinin düzgün olmayan dağılımı ile açıklanabilir.Bu çalışmada metal-yarıiletken arasında oluşturulan P3DMTFT tabakasının, engel yüksekliğini değiştirerek 0,7 eV civarına yükselttiği ve bu haliyle yapının daha iyi bir doğrultma özelliği kazandığı belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, the electrical properties of Au/n-InP contact with a conducting polymer Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT ) interfacial layer has been studied. An n-lnP crystal which has (100) orientation and 500 ?m thickness has been used on the production of the Au/n-InP contact with the polymer interfacial layer. Au/Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT)/n-InP/ln structure has shown diode-like behavior. The typical parameters of Au/Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT)/n-InP/ln Schottky diode have been determined from the current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements. All measurements have been carried out at room temperature and in dark. Ideality factor and barrier height value of the Au/Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT)/n-InP/ln structure have been determined from the I-V characteristic as 0.70 eV and 2.01, respectively. At room temperature, the ideality factor and barrier height value of Au/Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT)/n-InP/ln structure have been found out significantly bigger, as compared to the ones of the conventional Au/n-lnP Schottky diode. Series resistance (Rs) has been calculated by means of Cheung functions are compared with the ones obtained from Norde functions. Doping density and barrier height determined from the reverse bias C-2-V characteristic of the structure have been found as 1.37×1015 cm3 and 0.379 eV, respectively. The barrier height value obtained from the C-V measurements is much bigger than the ones obtained the I-V measurements. This inconsistency between the two values of the barrier height results from the presence of the excess capacitance and the barrier inhomogeneity.It has been concluded that P3DMTF interfacial layer modifies the barrier height and increases it about 0.7 eV. Therefore, the Au/Poli(3-sübsitüetiyofen)(P3DMTFT)/n-InP/ln structure can be used as rectifier in diode applications.
Benzer Tezler
- Au/poli(3-Sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-GaAs schottky kontakların fotovoltaik ve elektriksel özellikleri
Photovoltaic and electrical properties of Au/ poly (3-Subsitutethiophene) (P3DMTFT)/n-GaAs schottky contacts
HAVVA ELİF LAPA
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Synthesis and characterization of poly(N-hydroxymethacrylamide-allylthıourea) hydrogels and their selectivity to Au(III), Pt(II), Pd(II), and Ag(I) ions
Poli (N-hidrosimetilmetakrilamid-alliltiyoüre) hidrojellerin sentezi, karakterizasyonu ve Au(III), Pt(II), Pd(II), ve Ag(I) iyonlarına karşı seçiciliği
SERHAT DÖKER
- Bazı biyokimyasal moleküllerin iletken polimer elektrotlardaki voltametrik davranışlarının incelenmesi
Başlık çevirisi yok
GAMZE ERDOĞDU
- Au/p-Si yapılarının elektriksel özellikleri üzerine arayüzey tabakasının etkisi
The effect of interface layer on the electrical characteristics of au / p-Si structures
MİNE KESKİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Altın( III), gümüş(I) ve rodyum(III) iyonlarının poli(2-aminotiyofenol) polimeri ile adsorpsiyonu ve seçiciliğinin incelenmesi
Investigating the selectivity and adsorption of gold(III), silver(I) and rhodium(III) ions with poly(2-aminothiophenol) chelating polymer
ÜMİT CAN ERİM
