Au/poli(3-Sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-GaAs schottky kontakların fotovoltaik ve elektriksel özellikleri
Photovoltaic and electrical properties of Au/ poly (3-Subsitutethiophene) (P3DMTFT)/n-GaAs schottky contacts
- Tez No: 373119
- Danışmanlar: PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Au/Poli(3-Sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky kontağının üretiminde [100] doğrultusunda büyütülmüş ve 450 μm kalınlığında n-tipi GaAs yarıiletkeni kullanılmıştır. Diyotun, akım-gerilim (I-V), kapasite-gerilim (C-V) ve kondüktans-gerilim (G-V) ölçümleri karanlıkta ve farklı aydınlatmalar altında, oda sıcaklığında elde edilmiştir. Karanlıkta, idealite faktörü değeri 1,34 ve engel yüksekliği değeri 0,91 eV olarak hesaplanırken 200 W aydınlatma altında, idealite faktörü değeri 1,85 ve engel yüksekliği değeri 0,80 eV olarak belirlenmiştir. Aydınlatma seviyesinin artması ile idealite faktörü değeri artarken engel yüksekliği değeri azalmıştır. Diyotun seri direnci karanlıkta ve farklı aydınlatmalar altında Cheung ve Norde fonksiyonları yardımı ile hesaplanmıştır. Ayrıca, diyotun arayüzey halleri aydınlatma seviyesinin fonksiyonu olarak incelenmiştir. C-V, C-2-V ve G/ω-V grafikleri farklı aydınlatmalar altında çizilmiştir. Kapasite aydınlatma seviyesi artışı ile artmıştır. Engel yüksekliği ve tükenim bölgesi genişliği aydınlatma seviyesinin artışı azalırken verici atomların yoğunluğu aydınlatma seviyesi artışı ile neredeyse değişmemiştir. Diyotun G/ω-V karakteristikleri aydınlatma altında incelenmiştir ve seri direnç değerleri Nicollian metodu kullanılarak elde edilmiştir. Au/Poli(3-Sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky kontağının açık-devre gerilimi, kısa devre-akımı ve doldurma faktörü gibi fotovoltaik parametreleri hesaplanmıştır. Elde edilen bulgulara göre diyotun fotovoltaik davranış sergilediği görülmüştür.
Özet (Çeviri)
N-type GaAs wafer with [100] orientation and 450 μm thickness has been used to fabricate Au/Poly (3-Subsitutethiophene) (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky contacts. The current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) measurements of diode have been obtained in dark and under various illuminations at room temperature. The ideality factor value of 1.34 and barrier height value of 0.91 eV have been calculated in dark while ideality factor value of 1.85 and barrier height value of 0.80 eV have been determined under illumination of 200 W. The value of ideality factor increases with increasing illumination level while the value of barrier height decreases. The series resistance of diode has been calculated with Cheung and Norde functions in dark and under various illuminations. Also, the interface states have been investigated as a function of illumination level. The graphics of C-V, C-2-V and G/ω-V are plotted under various illuminations. The value of capacitance increases with increasing illumination level. The values of the barrier height and the depletion layer width decreased with increasing illumination level while doping concentration values constant with increasing illumination level. The G/ω-V characteristics of the diode under illumination have been investigated and the series resistance values have been obtained by using Nicollian method. The photovoltaic parameters of Au/Poly(3-Subsitutethiophene) (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky contact such as open-circuit voltage, short-circuit current and fill factor have been calculated. According to the results, it can be seen that the diode shows photovoltaic behavior.
Benzer Tezler
- Au/ poli(3-sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-tipi InP/In yapının elektriksel karakterizasyonu
Electricalcharacterization of Au/poly (3-substitutethiophene) (P3DMTFT) /n-type lnP/ln structures
SELDA KARATAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Synthesis and characterization of poly(N-hydroxymethacrylamide-allylthıourea) hydrogels and their selectivity to Au(III), Pt(II), Pd(II), and Ag(I) ions
Poli (N-hidrosimetilmetakrilamid-alliltiyoüre) hidrojellerin sentezi, karakterizasyonu ve Au(III), Pt(II), Pd(II), ve Ag(I) iyonlarına karşı seçiciliği
SERHAT DÖKER
- Bazı biyokimyasal moleküllerin iletken polimer elektrotlardaki voltametrik davranışlarının incelenmesi
Başlık çevirisi yok
GAMZE ERDOĞDU
- Au/p-Si yapılarının elektriksel özellikleri üzerine arayüzey tabakasının etkisi
The effect of interface layer on the electrical characteristics of au / p-Si structures
MİNE KESKİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Altın( III), gümüş(I) ve rodyum(III) iyonlarının poli(2-aminotiyofenol) polimeri ile adsorpsiyonu ve seçiciliğinin incelenmesi
Investigating the selectivity and adsorption of gold(III), silver(I) and rhodium(III) ions with poly(2-aminothiophenol) chelating polymer
ÜMİT CAN ERİM
