Atomic structure of (GeTe)m(Sb2Te3)n phase-change materials
Faz-değişimli (GeTe)m(Sb2Te3)n malzemelerin atomik yapısı
- Tez No: 385144
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ŞİNASİ ELLİALTIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Son yıllarda yapılan bilimsel araştırmalar gösteriyor ki faz-değişimli üçlü bileşikler (GeTe)m(Sb2Te3)n veya kısaca GST, CD (Compact Disc), DVD (Digital Versatile Disc), BD (Blu-ray Disc) gibi optik depolama aygıtlarının veriminin artırılmasında en çok kabul gören aday malzemeler olarak gösterilmektedir. Gelecekte GST bileşiklerinin kalıcı ve çok düzeyli faz-değişimli belleklerde kullanılması beklenmektedir. GST bileşiklerini ayrıcalıklı yapan kritik nokta, onun amorf ve kristal fazlar arasındaki hızlı ve tersinir faz geçişidir. Farklı şiddet ve frekanslarda uygulanan elektriksel ve optiksel uyarmalar, bu iki faz arasında hızlı ve geri dönüşümlü faz değişimlerine neden olmaktadır. Faz-değişimi özelliği sayesinde GST bileşikleri, gelişen tekrar-yazılabilir multimedya teknolojisinde, son yılların en popüler araştırma konusu olmuştur. Bu alanda çok fazla araştırma yapılmasına rağmen, GST bileşiklerinin faz-değişim mekanizması üzerinde bir fikir birliğineulaşılamamıştır. GST malzemelere dayalı bilgi depolama cihazlarında gelişim sağlanabilmesi için, bu mekanizmanın anlaşılması çok önemlidir. Bu çalışmada, GeSb2Te4 ve Ge2Sb2Te5 bileşiklerinin faz-değişim mekanizması yoğunluk fonksiyoneli teorisi ve ilk-prensipler moleküler dinamik benzetişim yöntemleri kullanılarak açıklanmıştır.
Özet (Çeviri)
Scientific investigations, in recent years, show that the ternary phase-change (PC) compounds (GeTe)m(Sb2Te3)n, abbreviated as GST, are the most accepted candidates for increasing the efficiency of optical storage devices such as CD (compact disc), DVD (digital versatile disc), and BD (blue-ray disc). In future, GST compounds are expected to be used in non-volatile memory and multi-level PC memory applications. The critical advantage that make GST compounds special is its fast and reversible phase-transition ability between the amorphous and the crystalline phases via the electrical and optical excitations implemented with different strengths and frequencies. Due to this switchability property, GST compounds are the most popular research topic of recent years in advancing the rewritable multimedia technology. Although lots of research have already been done in the field, so far, it could not have been reached a common consensus on the PC mechanism of GST compounds. In order to do improvement on data storage devices utilizing GST materials, understanding of the PC mechanism is crucial. In this study, the PC mechanism of GeSb2Te4 and Ge2Sb2Te5 compounds have been investigated by using density functional theory (DFT) and ab-initio molecular dynamics simulations (AIMD) methods.
Benzer Tezler
- Ark fiziksel buhar biriktirme yöntemiyle nanokompozit Mo-N-Cu kaplamaların üretimi ve karakterizasyonu
Production of Mo-N-Cu nanocomposite coatings by arc physical vapour deposition technique and their characterization
OSMAN LEVENT ERYILMAZ
- Dış alanla etkileşimli kuvantum harmonik salınıcının ileriye doğru evrimi
Başlık çevirisi yok
ASLI CESUR
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Matematikİstanbul Teknik ÜniversitesiMühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. METİN DEMİRALP
- Çevresel etki değerlendirme bilgi sistemi tasarımı ve gerçekleştirilmesi pilot projesi (ÇEDBİS)
Başlık çevirisi yok
OZAN ARSLAN
- First-principles study of GaAs/AlAs nanowire heterostructures
GaAs/AlAs nanotel heterojen yapılarda ilk-prensipler hesabı
SELMA ŞENOZAN
Doktora
İngilizce
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Investigation of dynamic mechanism of the toprim & 5y-cap domains of a type IIA topoisomerase
Tip IIA topoizomerazlarının toprim ve 5y-cap kısımlarının dinamik mekanizmalarının araştırılması
SÜLEYMAN ÜÇÜNCÜOĞLU