Tek kuantum kuyu üzerinden tınlaşım tünelleme olayının optoelektronik olarak incelenmesi
Optoelectronic investigation of resonance tunneling through a single quantum well
- Tez No: 379501
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BÜLENT ASLAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Tınlaşım tünelleme diyotları uzun yıllar önce önerilmiş olmasına rağmen hala bazı temel fizik sorularını aydınlatacak ve birçok yeni uygulamada kullanılacak potansiyele sahiptir. Tınlaşım tünelleme aygıtları, özellikle son yıllarda önerilen safsızlık atomlarına dayalı Terahertz (THz) bölgede çalışan ışık yayıcılar ve ışık algılayıcıların gerçekleştirilebilmesi bakımından önem taşımaktadır. Bahsi geçen aygıtların hayata geçirilebilmesi için öncelikle çift engel tınlaşım tünelleme diyot yapısında aygıt performansını etkileyen etkin mekanizmaların tanımlaması ve test örneklerinin üretilerek karakterizasyon sonuçlarının iyi anlaşılması gerekmektedir. Bu çalışmada, GaAs/AlxGa1‐xAs malzeme sistemi kullanılarak sistematik olarak çift engel tınlaşım tünelleme diyot yapıları moleküler demet epitaksi yöntemiyle büyütülmüş ve yapı içindeki akım mekanizmalarının bağlı olduğu parametreler tanımlanmıştır. Bu kapsamda, farklı kuantum kuyu ve engel genişliğine sahip aygıtların karakterizasyon çalışmalarında temel olarak fotolüminesans, elektro fotolüminesans ve akım-voltaj teknikleri kullanılmış ve sıcaklık bağımlı olarak yapılan ölçüm sonuçları analiz edilmiştir. Ek olarak, THz uygulamalarına temel oluşturmak amaçıyla kuantum kuyu içine katkılanmış safsızlık atomları üzerinden tınlaşım tünelleme akım mekanizması çalışılmıştır. Elde edilen sonuçlar, kuramsal hesaplamalarla karşılaştırmalı olarak değerlendirilmiştir.
Özet (Çeviri)
The resonant tunneling diodes have potential to be used in many new applications and enlighten unanswered questions in the fundamental physics although they had been proposed long time ago. The concept of resonant tunneling has crucial importance for light emitters and photo detectors based on impurity atom transitions. For this purpose, the factors affecting double barrier resonant tunneling diode performance should be defined and characterization results of produced test samples have to be investigated. In this thesis, double barrier resonant tunneling diodes based on GaAs/AlxGa1‐xAs materials were grown by molecular beam epitaxy and parameters dependent on current mechanism of the structure were defined. Photoluminescence, electro photoluminescence and current-voltage methods including temperature dependent measurements were employed to characterize the devices with different quantum well and barriers produced within this framework. In order to provide a basis for THz applications, resonant tunneling current mechanism was studied through impurity atoms doped in quantum wells. The experimental results obtained were extensively studied and compared to theoretical calculations.
Benzer Tezler
- AlxGa1-x As / GaAs Graded ındex separate confinement heterostructure single quantum well lasers
AlxGa1-x As / Ga As değişken kırılma indisli ayrık hapisli heteroyapı tek kuvantum kuyulu lazerler
MÜMTAZ KORAY BOZKURT
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- GaInNAs/GaAs kuantum kuyularında hidrojenik düzeyler arasında kızılötesi geçişler
Infrared transitions between hydrogeni̇c states in GaInNAs/GaAs quantum wells
EMRE BAHADIR AL
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN SARI
- Yoğun lazer alanı altında GaInNAs/GaAs kuantum kuyularındaki donor safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri
The binding energies of donor impurities in GaInNAs/GaAs quantum wells under the intense laser field
FATİH UNGAN
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESİN KASAPOĞLU
- Üç değişik metrik fon uzayında skaler bir alanın kuantum dalgalanmaları
Quantum fluctuations for a scalar field in the background of three different metrics
REYHAN KAYA
- Düşük boyutlu AlxGa1,xAs/GaAs sistemlerin elektronik özellikleri
Electronic perties of low mansion AlxGaı-xAs/GaAs systems
ŞABAN AKTAŞ
Doktora
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK