Geri Dön

Elektrokimyasal olarak büyütülen ZnSe ince filmlerinin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin ve heteroeklem uygulamalarının araştırılması

ZnSe thin films grown electrochemically structural, optical and electrical properties and investigation of heterojunction applications

  1. Tez No: 378479
  2. Yazar: YILDIRAY HAMURCU
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. HATİCE ASIL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kilis 7 Aralık Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, ZnSe ince filmi elektrokimyasal büyütme tekniğiyle ITO ve p-tipi Si altlık malzemeler üzerine büyütülmüştür. Büyütme işleminde çinko perklorat (ZnClO4), selenous asit (H2SeO3) ve selenium dioksit (SeO2) bileşikleri kullanılmıştır. Elektrokimyasal olarak ZnSe ince filmleri ITO üzerine -0,6 V ve p-Si üzerine -1,4 V potansiyel uygulanarak elde edilmiştir. Büyütülen numunelerin yapısal özellikleri, optiksel özellikleri X-ışını kırınımı ve soğurma spektrumları yardımıyla incelenmiştir. ZnSe/p-Si heteroekleminin akım-voltaj (I-V) karakteristiği incelenmiş ve akım-voltaj grafiğinde doğrultma davranışı olduğu gözlenmiştir. İdealite faktörü akım-voltaj grafiğinden 1,76 olarak hesaplanmıştır.

Özet (Çeviri)

In this study, ZnSe thin film was grown by electrochemical deposition technique onto ITO and p-Si substrate materials. In order to obtain ZnSe, zinc perchlorate (Zn (ClO4)2), selenous acid (H2SeO3) and selenium dioxide (SeO2) compounds are used. Electrochemically to obtain ZnSe thin films on ITO and on p-Si was applied -0,6 V and -1,4 V potential, respectively. The structural and optical properties of growth samples, X-ray diffraction and absorption spectra was analyzed. The current-voltage (I-V) characteristics of ZnSe/p-Si heterostructures were examined. Ideality factor from the current-voltage plot was calculated as 1,76.

Benzer Tezler

  1. Elektrokimyasal olarak büyütülen Gase ve Gate filmlerinin karakterizasyonu ve In/GaSe/p-Si/Al ve Ti/GaTe/p-Si/Al schottky diyodlar üzerinde radyasyon etkileri

    Characterization of electrochemically grown Gase and Gate thin films and radiation effects on In/GaSe/p-Si/Al AND Ti/GaTe/p-Si/Al schottky diodes

    KÜBRA ÇINAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEVDET COŞKUN

  2. Co/Cu süperörgülerin elektrokimyasal olarak üretilmesi ve yapısal ve manyetik özelliklerinin incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    MÜRŞİDE ŞAFAK HACIİSMAİLOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MÜRSEL ALPER

  3. ZnO'nun seyreltilmiş manyetik yarıiletken olarak elektrokimyasal yöntemle büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of ZnO as diluted magnetic semiconductor by electrochemical method

    HARUN GÜNEY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEVDET COŞKUN

  4. İki adımlı elektrokimyasal kaplama yöntemiyle yeni nesil Cu2XSnS4 (X= Co+2, Fe+2, Mn+2, Ni+2, Zn+2) ince filmlerinin sentezi ve karşıt elektrot olarak boya-duyarlı güneş pili uygulamaları

    Synthesis of Cu2XSnS4 (X= Co2+, Fe2+, Mn2+, Ni2+, Zn2+) thin films by two-step electrochemical deposition method and their use as a counter electrode in dye-sensitized solar cell

    ERDİNÇ EROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Metalurji MühendisliğiKaramanoğlu Mehmetbey Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SAVAŞ SÖNMEZOĞLU

  5. Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması

    Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications

    HATİCE ASIL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN