Silisyum ve galyum arsenit yüzeylerine tutunmuş grafitik nano yapıların elektronik özellikleri
Electronic properties of graphitic nano structures adsorbed on silicon and gallium arsenide surfaces
- Tez No: 374487
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK, PROF. DR. SÜLEYMAN ŞİNASİ ELLİALTIOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, Si(111) üzerine grafen (Grafen/Si(111)), Bi sonlu GaAs üzerine grafen (Grafen/ Bi/GaAs(001)-α2(2×4)), Si(111) üzerine karbon nanotüp (KNT/Si(111)), Li, Ag, Au, Na, Ca, B, Al, Si ve Ge katkılı AB ve AA istiflenmesine sahip iki tabakalı grafen yapılarının yapısal ve elektronik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisi kapsamında ab initio hesaplamalarıyla incelendi. Elde edilen kararlı geometrilerin yapısal parametreleri, durum yoğunlukları, elektronik bant yapıları, mevcut etkileşimlerin orbital doğası araştırıldı. Özel olarak, grafenin Si(111) yüzeyi üzerinde“dalgalı”halde kalabildiği görüldü ve bu sistemin kuantum iletim karakteristikleri hesaplandı.
Özet (Çeviri)
In this study, structural and electronic properties of graphene on Si(111) (Graphene/Si(111)), graphene on Bi terminated GaAs surface (Graphene/ Bi/GaAs(001)-α2(2×4)), carbon nanotube on Si(111) (CNT/Si(111)), Li, Ag, Au, Na, Ca, B, Al, Si and Ge intercalated AB and AA stacking bilayer graphene are investigated by using ab initio density functional theory. The structural parameters, density of states, electronic band structures and orbital nature of actual interactions are studied for the obtained stable geometries. Especially, it is seen that graphene can stay on Si(111) surface as wavy and the quantum transport characters properties are calculated for this system.
Benzer Tezler
- Katılarda infrared aktif merkezlerin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
NİLÜFER ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
1990
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜNYAMİN ÖZBAY
- S-band gan high power amplifier design and implementation
S-bant galyum nitrür yüksek güçlü yükselteç tasarımı ve uygulaması
MUHAMMET KAVUŞTU
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films
HAYRETTİN YÜZER
- On the performance limits for crystalline silicon solar cells: A theoretical study
Kristal silisyum güneş pillerinin performans limitleri üzerine: Teorik bir çalışma
MOATASEM ABDO MABKHOT AL-SULTAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ HAYRİYE SERRA ALTINOLUK
DOÇ. DR. PINAR DOĞAN
- S bant radar uygulamaları için iki katlı 50 watt GaN HEMT f sınıfı güç kuvvetlendiricisi tasarımı
Design of two stage 50 watt GaN HEMT class f power amplifier for s band radar applications
SÜHEYB ABDURRAHMAN BOZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN YAZGI
DOÇ. DR. OĞUZHAN KIZILBEY