Characterization of epitaxially grown iii-v nanostructures by electron microscopy
Epi̇taksi̇yel olarak büyütülen iii-v nanoyapilarin elektron mi̇kroskopi̇ i̇le karakteri̇zasyonu
- Tez No: 365540
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BÜLENT ASLAN, PROF. DR. SERVET TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Nanoteknoloji Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Epitaksiyel olarak büyütülen III-V grubu yarıiletken nanoyapılar elektron mikroskopi teknikleri ile araştırılmıştır. Özellikle, kızılötesi fotoalgılayıcı olarak tasarlanan InAs/GaSb tip-II süperörgü (SL) ve kendiliğinden oluşan InAs/GaAs kuantum nokta (QD) yapılar taramalı elektron mikroskobu (SEM), geçirimli elektron mikroskobu (TEM) ve taramalı geçirimli elektron mikroskobu (STEM) ile incelenmiştir. Bu çalışmada kullanılan yapılar, moleküler demet epitaksi (MBE) ile büyütülmüş ve tabaka kalınlıkları, arayüz özellikleri, yüzey kaliteleri gibi yapısal özellikleri ve bileşimsel özellikleri bakımından kapsamlı olarak karakterize edilmiştir. Aynı görüntüleme teknikleri GaSb epikatmanların yüzey karakterizasyonu ve AlSb kuantum noktaların gözlenmesi için de kullanılmıştır. Elde edilen sonuçlar, farklı koşullar altında büyütülen epikatmanların yüzeylerinde görülen istenmeyen özelliklerin ve kusurların uygun eylemler uygulandığında önlenebileceğini göstermiştir. Ayrıca, bu çalışmanın önemli bir kısmı çalışılan malzeme sistemleri için etkin, tekrarlanabilir ve güvenilir bir yan-kesit numune hazırlama reçetesi geliştirilmesine adanmıştır.
Özet (Çeviri)
Epitaxially grown III-V group semiconductor nanostructures have been investigated by means of electron microscopy techniques. Particularly, InAs/GaSb type-II superlattice (SL) structures designed as infrared photodetector and InAs/GaAs self-assembled quantum dots (QDs) have been analysed by scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM) and scanning transmission electron microscopy (STEM) techniques. Structures used in this study were grown by molecular beam epitaxy (MBE) and extensively characterized for their structural properties such as layer thicknesses, interface properties, surface qualities and compositional properties. The same imaging techniques have also been used for surface characterization of GaSb epilayers and observation of both InAs and AlSb QDs. The acquired results have shown that undesired features and defects evidenced on the surfaces of the epilayers grown under different conditions can be avoided once proper actions are taken. Also, a significant amount of work in this study has been devoted to develop an effective, reproducible and reliable cross-section sample preparation recipe for the studied material systems.
Benzer Tezler
- Growth and characterization of group III-V nanostructures on Si substrates by MBE
Si alttaş üzerine III-V grubu nanoyapilarin MBE tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
BURCU ARPAPAY
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
PROF. DR. MEHMET ALİ GÜLGÜN
- Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD
III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD`deki uygulamaları
ALI HAIDER
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
Assist. Prof. AYKUTLU DANA
DR. NECMİ BIYIKLI
- Silikon ve safir alttaşlar üzerine epitaksiyel büyütülmüş aln ince filmlerin elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of epitaxially grown ain thin films on silicon and sapphire substrates
KAĞAN MURAT PÜRLÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLKAY DEMİR
- InxGa1-xAs/InyAl1-yAs tabanlı kuantum çağlayan lazer yapılarının büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs based quantum cascade laser structures
İLKAY DEMİR
Doktora
Türkçe
2017
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Safir alttaş üzerine mavi LED yapısının büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu
Growth of blue LED structure on sapphire substrate and structural characterization
İSMAİL ALTUNTAŞ
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ