p-InSe:Mn yarı iletkeninin Schottky kontak davranışı
The schottky contact behaviour of p-InSe:Mn semiconductor
- Tez No: 269688
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SONGÜL DUMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Akım-potansiyel karakterstikleri, Metal-yarı iletken sistemler, Schottky kontakları, İdealite faktörü, Current-potential characteristics, Metal-semiconductor systems, Schottky contacts, Ideality factor
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, Bridgman-Stockbarger metoduyla büyütülmüş olan p-InSe:Mn yarıiletkeninin Schottky kontak davranışı incelenmiştir. Bu çalışma için öncelikle yarıiletkenin mat tarafına In buharlaştırılarak omik kontak yapılmış, sonra ise gerekli temizleme işlemlerinden geçirilmiş 12 farklı kontak materyali (Cd, Au, Mn, Zn, Co, Ag, Sn, Sb, Al, Au-Be, Au-Ge, Au-Zn) yarıiletkenin parlak yüzeyine buharlaştırılarak 1 mm çapında Schottky kontaklar elde edilmiştir. Elde edilen bu diyotların oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri alınmış ve bu karakteristikler kullanılarak idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği değerleri hesaplanmıştır. Ayrıca seri direnç etkisi göz önünde bulundurularak Cheung fonksiyonları yardımı ile seri direnç değerleri hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, the Schottky contact behaviour of p-InSe:Mn semiconductor which has been grown by Bridgman-Stockbarger Method has been investigated. For this study first the ohmic contacts with In have been made to the matte faces of semiconductors; later Schottky contacts about 1 mm diameters have been made by using 12 different contact materials (Cd, Au, Mn, Zn, Co, Ag, Sn, Sb, Al, Au-Be, Au-Ge, Au-Zn) to the brilliant faces after passing through the necessary cleaning procedures. At the room temperature current-voltage (I-V) characteristics of this diodes have been taken and ideality factor (n) and Schottky barrier height parameters have been calculated using this characteristics. Moreover thought of the effect of series resistance Rs values have been calculated by the help of Cheung Functions.
Benzer Tezler
- Mikroyeşillik ve olgun aşamadaki rokanın (eruca sativa mill.) antioksidan özelliklerinin, toplam fenolik, toplam flavonoid ve mineral içeriklerinin karşılaştırılması
Comparison of antioxidant properties, total phenolic, total flavonoid, and mineral contents of microgreens and mature stage arugula (eruca sativa mill.)
DİDEM TURHAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2026
Beslenme ve DiyetetikKaramanoğlu Mehmetbey ÜniversitesiGastronomi ve Mutfak Sanatları Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUHAMMET DOĞAN
- Characterization of vacuum deposited indium selenide thin films and Schottky barrier diodes
Vakumda büyütülmüş p-InSe ince filmlerin ve Schottky diyotların karakterizasyonu
ÖZLEM PEHLİVAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- Structural, electrical and photo-hall characterization of InSe: Cd and InSe thin films
InSe: Cd InSe ince filmlerin yapısal, elektriksel ve foto-hall karakterizasyonu
ATEF QASRAWİ
Doktora
İngilizce
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İBRAHİM GÜNAL
PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- Investigation of InSe thin film based deviges
İnSe ince film tabanlı aygıtların incelenmesi
KORAY YILMAZ
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET PARLAK
PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- İkili (InSe, InSe;Er, GaSe,GaSe;Gd) ve üçlü (TIGaSe2;Gd) tek kristallerin büyütülmesi soğurma ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
BEKİR GÜRBULAK
Doktora
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU