Standart yarıiletken teknolojisi kullanılarak c-bandında çalışan mikrodalga güç kuvvetlendirici tasarımı ve prototipinin yapılması
C-band microwave power amplifier design and prototype realization using standard semiconductor technology
- Tez No: 215894
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CANER ÖZDEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Dielektrik sabiti, Dielectric constant
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Mersin Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
RF kuvvetlendirici devreleri konusundaki çalışmalar, gerek askeri haberleşme ve uzaktan algılama sistemlerinde gerekse de ticari kablosuz uygulamaların gelişmesiyle hızla artmaktadır. Herhangi bir işaretin, işlenmeden önce kuvvetlendirilmesi sırasında maksimum doğrusallığı sağlamak, en düşük geri yansımaları gerçekleştirmek ve bu koşullarla birlikte mümkün olan en fazla çıkış gücünü elde edebilmek, RF kuvvetlendirici tasarımı alanındaki çalışmalarla mümkün olmaktadır.Bu çalışmada, tektaş mikrodalga tümdevreler (TMT'ler) kullanılarak, mikrodalga C-bandında (4 GHz ? 8GHz) çalışan iki adet RF kuvvetlendiricinin tasarımı ve gerçekleştirilmesi hedeflenmiştir. Kuvvetlendiricilerin, düşük dönüş kayıplarını ve düşük ters izolasyonu korurken, 20 dB'in üzerinde güç kazancı sağlamaları amaçlanmıştır. Tasarlanan devreler, düşük maliyetli olan baskılı devre kartları (PCB'ler) üzerinde prototip olarak üretilmiştir.RF kuvvetlendiriciler üretilirken karşılaşılan sorunlardan biri olan PCB'nin dielektrik sabiti değişimleri de modellenerek, gerçekleştirilen kuvvetlendiricilerin dönüş kayıpları minimize edilmiştir.Gerçekleştirilen RF kuvvetlendiriciler, mikrodalga vektör devre analizörü ile test edilmiş ve S-parametrelerinin ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Elde edilen ölçüm sonuçlarından faydalanarak; kuvvetlendiricilerin güç kazancı-frekans, kısılma noktası çıkış gücü-frekans ve kararlılık incelemeleri MATLAB ortamında yapılmıştır. MATLAB sonuçlarına göre, üretilen kuvvetlendiriciler, tasarım hedeflerine uygun olarak, tüm C-bandı boyunca düşük dönüş kayıplarına ve 20 dB'den yüksek güç kazançlarına sahipken, kararlılık kriterlerini sağlamaktadırlar.
Özet (Çeviri)
Studies on RF amplifier circuits are growing rapidly due to the developments of military communication and remote sensing systems and commercial wireless products. RF amplifier researches make it possible to provide the maximum linearity with the minimum return losses and maximum available gain.In this study, two RF amplifier circuits employing monolithic microwave integrated circuits (MMICs) operating at microwave C-band (4 GHz ? 8 GHz) are designed and prototyped. The amplifiers are targeted to have minimum return losses and reverse isolations with power gains above 20 dB across the whole C-band. Circuits are produced on low cost printed circuit board (PCB) materials.The dielectric characterizations of the utilized PCB substrates are investigated in order to minimize the losses of the amplifiers.RF amplifiers are tested using vector network analyzer (VNA) and their S-parameters are measured. Power gain-frequency, compression point output power-frequency characteristics of the amplifiers are computed and plotted using the measurement results in MATLAB® environment. Also, stability analyses of the circuits are performed in MATLAB®. It is found that, prototyped RF amplifiers provide power gains higher than 20 dB, minimum return losses and stability as aimed by the design requirements.
Benzer Tezler
- Modeling statistical variations in MOS transistors
MOS transistörlerde istatistiksel değişimlerin modellenmesi
GÜLİN TULUNAY
Yüksek Lisans
İngilizce
2001
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiPROF. DR. ATİLLA ATAMAN
- Silisyumun yönlü aşındırılması ve mikroalgılayıcılar
Anisotropic etching of silicon and microsensors
F.ALİ ALDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- 3um N-kuyu CMOS teknolojisi ile test kırmığı tasarımı ve tranzistor eşik gerilimi ayarı
Test chip design for 3 um N-well CMOS fabrication technology and threshold voltage adjustment
ZEYNEP D. TOROS
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- A Model of an actively mode-locked semiconductor laser
Aktif mod kilitlenmiş yarı iletken lazer modeli
AHMET TURGUT TUNCER
Yüksek Lisans
İngilizce
1995
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiDOÇ. DR. SADETTİN ÖZYAZICI
- Metal-yarıiletken kontaklarda Schottky engelinin sığa özellikleri
Capacitance properties of Schottky barrier at metal-semiconducter contacts
TAMER GÜZEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER