(Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diyotların elektriksel özelliklerinin frekans ve aydınlanma şiddetine bağlı incelenmesi
Investigation of electrical characteristics of (aAl-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diodes depending on frequency and illumination
- Tez No: 200957
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyodları, Schottky diodes
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalısmada, magnetron sputtering yöntemi ile (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schotty diyotları üretilmis ve bu diyotların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/w-V) ölçümleri oda sıcaklıgında, karanlıkta, ısık altında ve farklı frekanslar için gerçeklestirilmistir. Doyum akımı (I0), sıfır beslem engel yüksekligi (FBo), idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) degerleri, sırası ile karanlıkta 4,2x10-10 A, 0,755 eV, 1,24 ve 896 ; aydınlıkta ise 7,47x10-10A, 0,740 eV, 1,18 ve 419,7 olarak bulunmustur. Ayrıca diyotun kırılma voltajının da 21 V civarında oldugu görülmüstür. Aydınlatma islemi (C-V) ve (G/w-V) egrilerinde ters beslem yönünde 150 mV civarında ve artan aydınlanma siddeti ile artan bir kaymaya sebep olmustur. Bu davranısın aydınlanma ile ara yüzey durum yogunluklarında degismeye neden olan metal yarı iletken arasında uyarılan sabit yüklerden kaynaklandıgı seklinde açıklanmıstır. Ayrıca seri direncin (Rs) aydınlanma ile azaldıgı ve kapasitan-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) özelliklerinde anlamlı degisiklere neden oldugu görülmüstür. I-V özellikleri ideal davranısa sahip degildir ve idealite faktörü (n), yarı iletken ile dengede olan ara yüzey durum yogunluklarına (Nss) tarafından kontrol edilmektedir.
Özet (Çeviri)
In this study, (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diodes were fabricated by a magnetrons sputtering method and their current-voltage (I-V) and admittance-voltage (C-V, G/w-V) measurements were carried out in dark and under illumination. The values of saturation current (Io), zero-bias barrier height (Bo), ideality factor (n) and series resistance (Rs) are found equal to 4,2x10-10A, 0,755 eV, 1,24 and 896 in the dark and to 7,47x10-10A, 0,740 eV, 1,18 and 419,7 W under illumination, respectively. In addition to this, the break down voltage of the (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky is found to be near 21 V. The illumination process causes shift the capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G / -V) curves toward reverse bias about 150 mV and increases with increasing illumination level. This behavior can be explained by the built-up of fixed charge between metal and semiconductor attributed to changes in the number of interface states (Nss) due to the illumination process. In addition to these, the series resistance (Rs) of diodes can significantly alter the capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) characteristics and decrease with increasing illumination level. I-V characteristics have not ideal behavior and ideality factor (n) is controlled by the Nss in equilibrium with the semiconductor.
Benzer Tezler
- (Al-TiW+PtSi)/n-Si Sckottky diyotlarının sıcaklığa bağlı temel parametreleri
Temperature dependence of characteristic parameters of the (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diodes
ELİF MARIL
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Plane wave difraction by a wide slit in a thick impedance screen
Elektromagnetik dalgaların iki empedans tabakası arasında kalan geniş yarıktan saçılması
FİLİZ BİRBİR
Doktora
İngilizce
1995
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. ALİNUR BÜYÜKAKSOY
- FDDI tabanlı bir ağ sistemi için etkin bir gerçek zamanlı iletişim yapısının tasarımı
Design of an efficient real time communication structure for an fddi based network system
FEZA BUZLUCA
Doktora
Türkçe
1997
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik ÜniversitesiBilgisayar Bilimleri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMRE HARMANCI
- Atmosferik partikül maddelerin (PM) kimyasal karakterizasyonunun belirlenmesi ve kaynaklarının tespit edilmesi: Şanlıurfa örneği
Determining the chemical characterization of atmospheric particulate matters (PM) and source appointment: The case of Sanlıurfa
MUHAMMED YEŞİLDAĞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Çevre MühendisliğiHarran ÜniversitesiÇevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ TUBA RASTGELDİ DOĞAN
DOÇ. DR. MELİK KARA
- Deniz ticaretinde ekonomik gemi yatırımları ve işletmeciliğinin analizi
Başlık çevirisi yok
MELTEM NUR BİNATLI