Geri Dön

(Al-TiW+PtSi)/n-Si Sckottky diyotlarının sıcaklığa bağlı temel parametreleri

Temperature dependence of characteristic parameters of the (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diodes

PDF İndir

  1. Tez No: 196626
  2. Yazar: ELİF MARIL
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Amorf metal film, I-V ölçümleri, Engel homojensizliği, Tünelleme, Amorphous metal film, I-V measurements, Barrierinhomogeneities, TunnelingPage Number : 55Adviser :Associate Professor Şemsettin ALTINDAL
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

iii(Al-Ti10W90+PtSi)/n-Si SCHOTTKY DİYOTLARIN SICAKLIĞABAĞLI TEMEL PARAMETRELERİ(Yüksek Lisans Tezi)Elif MARILGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜAralık 2005ÖZETBu çalışmada, [111] doğrultusunda büyütülmüş ve özdirenci 0.7 Ω.cm olan n-tipi Si kristali kullanıldı. Hazırlanan (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınakım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri 79-360 K sıcaklıkaralığında ölçüldü ve arayüzeyde engel yüksekliklerinin homojensizliğindendolayı bir Gaussian dağılıma sahip olduğu gözlendi. Deneysel I-V verilerindensıcaklığın artmasıyla engel yüksekliğinde (ΦBO) artış ve idealite faktöründe (n)ise bir azalma olduğu gözlendi. Engel yüksekliğinin sıcsklığın tersi ile değişimigrafiğinden Gaussian dağılımı için ortalama engel yüksekliği ve standart sapmadeğerleri sırasıyla Φ bo=0.815 eV ve σs=0.09 V olarak elde edildi. Böylece,modife edilen Ln(I0/T 2) - q2 σ o /2k2T 22nin (q/kT) eğrisinde ortalama engelyüksekliği ve Richardson sabitinin değeri sırasıyla 0.82 eV ve 104.85 Acm-2K-2olarak elde edildi. Deneysel sonuçlar, (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınsıcaklığa bağlı I-V karakteristislerinden Φb'nin Gaussian dağılıma sahip olmasıTE mekanizmasıyla açıklandı.Bilim Kodu : 404. 05. 01

Özet (Çeviri)

ivTEMPERATURE DEPENDENCE OF CHARACTERISTICPARAMETERS OF THE (Al-TiW+PtSi)-n-Si SCHOTTKY DIODES(M.Sc. Thesis)Elif MARILGAZI UNIVERSITYINSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYDecember 2005ABSTRACTIn this study, we have used n-Si wafers with (111) orientation and having0.7 Ω.cm resistivity. The forward current-voltage (I-V) and reverse capacitance-voltage (C-V) characteristics of (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diodes have beenmeausered in the temperature range of 79-360 K and have been interpretedbased on of the assumption of a Gaussian distribution of barrier heights (BHs)due to BH inhomogeneities that prevail at the interface. The evaluation of theexperimental I-V data reveals an increase of zero bias barrier height (Φbo) and adecrease of idealty factor (n) with increasing temperature. Zero bias barrierheigth (Φbo) versus inverse temperature (1/T) plot was drawn to obtainedevidence of a Gaussian distribution of the BHs,and values of Φ bo=0.815 eV andσs=0.09 V for the mean BH and zero-bias standard deviation have beenobtained from this plot, respectively.vThus, a modified Ln(I0/T 2) - q2 σ o /2k2T 2 vs q/kT) plot gives Φ bo and A* as 0.822eV and 104.85 Acm-2K-2, respectively. It has been councluded that thetemperature dependent I-V characteristics of the devices can be succesfullyexplained on the basis of TE mechanism with Gaussian distribution of the Φb.Science Code : 404. 05. 01

Benzer Tezler

  1. Tez No

    200957

    (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diyotların elektriksel özelliklerinin frekans ve aydınlanma şiddetine bağlı incelenmesi

    Investigation of electrical characteristics of (aAl-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diodes depending on frequency and illumination

    MEHMET HAMDİ KURAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  2. Tez No

    46556

    Plane wave difraction by a wide slit in a thick impedance screen

    Elektromagnetik dalgaların iki empedans tabakası arasında kalan geniş yarıktan saçılması

    FİLİZ BİRBİR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1995

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. ALİNUR BÜYÜKAKSOY

  3. Tez No

    68877

    FDDI tabanlı bir ağ sistemi için etkin bir gerçek zamanlı iletişim yapısının tasarımı

    Design of an efficient real time communication structure for an fddi based network system

    FEZA BUZLUCA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik Üniversitesi

    Bilgisayar Bilimleri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EMRE HARMANCI

  4. Tez No

    991336

    High-power single-mode semiconductor laser via non-hermitian spatial mode filtering

    Hermitsel olmayan uzamsal mod filtreleme ile yüksek güçlü tek modlu yarı iletken lazer

    ECE KARABEY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ABDULLAH DEMİR

  5. Tez No

    776222

    Atmosferik partikül maddelerin (PM) kimyasal karakterizasyonunun belirlenmesi ve kaynaklarının tespit edilmesi: Şanlıurfa örneği

    Determining the chemical characterization of atmospheric particulate matters (PM) and source appointment: The case of Sanlıurfa

    MUHAMMED YEŞİLDAĞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Çevre MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Çevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ TUBA RASTGELDİ DOĞAN

    DOÇ. DR. MELİK KARA

Geri Dön