CMOS buffer tasarımında optimizasyon
Optimum CMOS buffer design
- Tez No: 185538
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ALİ MANZAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: CMOS Buffer, Buffer Optimizasyonu, Düşük Güç, CMOS Buffer, Buffer Optimization, Low Power
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
iiÖZETCMOS Buffer Tasarımında OptimizasyonCMOS transistorlar düşük güç harcanımları sebebiyle yaygın olarak tümleşik devretasarımında kullanılmaktadır. İyi bir tümleşik devre güç, hız ve alan bakımından eniyi olmalıdır. Devre içinde düşük kapasiteli kapıların yüksek kapasiteli kapılarısürerken tampon devreler kullanılması iyi bilinen hız arttırma tekniklerinden biridir.Fakat, kullanılacak tampon devre sayısı ve NMOS ve PMOS transistorların kanalenlerinin oranı iyi belirlenmelidir. Tampon devre sayısı, ve kanal en oranlarıdevrenin hız, güç harcaması ve alanına direkt olarak etki eder. Literatürde en iyitampon devre boyutunu belirlemek için birçok çalışma yapılmış ve bazı teoriksonuçlar bulunmuştur. Ancak bu sonuçlar günümüzde kullanılan nanometretasarımlarla tam uyuşmamaktadır. Bu tezde biz, en iyi hız, alan ve güç harcamasıolan devreyi gerçeklemek için kullanılan tampon devreleri tasarlamak için yeni birtasarım stratejisi belirledik. Çalışmada Pspice programı ile 0.12nm IBM teknolojiverileri kullanılarak yapılan simülasyonların sonuçları tablo ve şekiller halindegösterilmiştir.
Özet (Çeviri)
iiiABSTRACTOptimum CMOS Buffer DesignCMOS transistors are widely used for their low power dissippations in VLSI circuits.A good VLSI chip should be optimized in terms of power, speed and area. Bufferinsertion is a well known speed improvement technique when a low capacitive gateis driving high capacitive gate. However the number of buffer stages that need toinserted and the ratio of width of the NMOS and PMOS transistors should becarefully determined. Selection of number of buffer stages and the channel width ofthe transistors directly effects the speed, area and power consumption of the circuit.In the literature there has been great deal of work has been done and some theoreticalresults are presented to obtain the optimum buffer size. However these result do notcompletely fit the current technology using nanometer channel width. In this thesiswe have developed new design strategy to get optimum buffer size such that circuitis optimized in terms of speed, power and area. Simulations have been done usingPspice with 0.12nm IBM technology and results are shown with tables and figures.
Benzer Tezler
- A Novel booth encoded radix-2 multiplier and its VLSI realization
Yeni bir“Booth”yöntemi ile kodlamalı“Radıx-2”çarpma devresi ve uygulamaya yönelik tümdevre ile gerçeklenmesi
HAKAN BİNİCİ
Yüksek Lisans
İngilizce
1995
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiDOÇ.DR. SİNA BALKIR
DR. GÜNHAN DÜNDAR
- High performance CMOS capacitive interface circuits for MEMS gyroscopes
MEMS dönüölçerler için yüksek performanslı CMOS sığasal arabirim devreleri
KANBER MİTHAT SİLAY
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYFUN AKIN
- TTL ve genel mos sayısal tümdevreler için bilgisayar kontrollü tümdevre test aleti
Başlık çevirisi yok
İSMAİL BAYRAKTAR
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. HAKAN KUNTMAN
- CDBA elemanı kullanarak aktif filtre sentezinde yeni olanaklar
New methods of active filter synthesis using CDBA
BİLGEN KAYIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HERMAN SEDEF
- Surface micromachined capacitive accelerometers using MEMS technology
MEMS teknolojisi ile yüzey mikroişlenmiş kapasitif ivmeölçerler
REFET FIRAT YAZICIOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TAYFUN AKIN