Ge yarıiletken numunelerinin elektriksel karakterizasyonu
The Temperature depent electron transport in Ge
- Tez No: 180108
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. YASEMİN ÇİFTÇİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Hall mobilitesi, Elektron iletim, X-ışını Kırınımı, Hall Mobility, electron transport, X-RayDifraction
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada germanyum yarıiletkenlerinin iletim özellikleri incelendi. Üç tipGe numunenin manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hall etkisi 35-350 sıcaklık aralığındayapıldı. Sıcaklık bağımlı özdirenç ölçümleri kuvvet modeli kullanılarak analiz edildi.İncelenen numuneler yüksek sıcaklık bölgesinde n-tipi elektriksel iletkenlik gösterirkendüşük sıcaklık bölgesinde p-tipi elektriksel iletkenlik özelliği gösterdi.Özdirenç, HallMobilitesi ve taşıyıcı yoğunlukları araştırıldı. Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hallölçümleri birbirleri ve literatürle karşılaştırıldı. Sıcaklık bağımlı bireysel bantparametreleri, E g 'leri ve safsızlık bağlanma enerjileri hesaplandı.Bilim Kodu : 202.1.147
Özet (Çeviri)
In this work, the transport properties of Ge semiconductors were investigated.Temperature dependent conductivity, Hall mobility measurement in Ge semiconductorswere carried out at the temperature range 35-350 K. The studied samples show n-typeelectrical conductivity at high temperatures while they show n-type electricalconductivity at intermediate temperatures region. The activation energy and the bandgap have been calculated from the temperature resistivity measurement.Science Code : 202.1.147
Benzer Tezler
- (Se)ı-x (Te)x karışımının basınç, konsantrasyon ve sıcaklıkla elektriksel iletkenliğinin incelenmesi
A Study of electrical conductivity variation of (Se) 1-x(Te) x compounds with pressure, concentration and temperature
İRFAN ŞAKA
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiOndokuz Mayıs ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HABİP ÖZKAPLAN
- n-InSe ve n-InSe:Sn tek kristallerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi ve n-InSe: Sn yarıiletkeninin schottky kontak davranışı
The electric field effect on band gap energy of n-InSe:Sn and n-InSe:Sn single crystals and schottky contact behavior of semiconductor n-InSe:Sn
SONGÜL DUMAN
Doktora
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. BEKİR GÜRBULAK
- Metal/n-tipi GaAs schottky diyotlarında havada oksitlenme ve yaşlanmanın akım-gerilim (I-V) ve kapasite, konduktans-gerilim, frekans (C,V-G,f) karakteristiklerine etkisi
The Effects of oxidation in air and ageing on current-voltage (I-V) and capacitance, conductance-voltage, frequency (C,V-G,f) characteristics of metal n-type GaAs schottky diodes
AHMET FARUK ÖZDEMİR
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Formation of semiconductor nanocrystals in SiO2 by ion implantation
SiO2 içinde yarıiletken nanokristallerin iyon ekme tekniği ile oluşturulması
UĞUR SERİNCAN
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Yarıiletken heteroyapılarda sıcaklığın ve basıncın yüklü parçacıklara etkisinin bilgisayar analizi
Computer analysis of temperature and pressure effects on the charged particles in semiconductor heterostructures
DERYA ÖZÜBERK