İyon ekimi ile amorflaştırılmış silikonun pulslu laserle tavlanmasında elektriksel aktivasyon
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 171950
- Danışmanlar: DOÇ.DR. ATİLLA AYDINLI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1986
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
IV ÖZET Bu çalışmadaP ekilen silikon tek kristalinde oluşan ince amorf tabakalar, fırında ve ayrıca laboratuvarda kurulan bir pulslu boya laseri ile iki farklı dalgaboyunda tavlanmıştır. Hail etkisi deneyi van der Pauw yöntemi ile yonca yaprağı şeklinde kum tabancasıyla kesilen örneklerde, örnek üzerine buharlaştırma yolu ile kaplanan AuSb'nm laserle dövülüp alttaş ile alaşım yapmasıyla elde edilen omik eklemler kullanılarak yapılmıştır. Elektriksel ölçümler 300 K ve bir alçak sıcaklıklar krayostadı kullanılarak 77 K'de yapılmıştır. Kullanılan la ser pulsunun süresi (^ 300 ns) göz önüne alındığında bu deney ilk defa yapılmaktadır. Sonuçlar uygun fırın sıcaklıkları ve laser enerji yoğunluklarında ekilen iyon dozunun 100 % aktive edilebildiğini göstermektedir. Ayrıca elde edilen taşıyıcı mobilitesi değerleri literatürdeki (Finetti, Galloni, ve Mazzone, 1978) değerlerle uyum içerisindedir.
Özet (Çeviri)
SUMMARY In this work, thin amorphous layers produced by P implantation on silicon single crystals have been annealed using a furnace and a pulsed dye laser at two different wavelengths. Hall effect experiments have been carried out using van der Pauw method on clover leaf shaped samples cut by a sand blaster, employing contacts made by pulsed laser alloying of thin AuSb films evaporated on appropriate regions on the sample surface. Electrical measurements are performed at 300 K and using a low temperature cryostad, at 77 K. We believe this, to be the first study on the subject considering the pulse length (^ 300 ns) of the laser pulses employed in this study. Results show that it is possible to achieve 100 % activation under proper temperatures and laser energy densities. In addition electron mobility values are comparable or better then values found in the literature. (Finetti, Galloni and Mazzone 1978).
Benzer Tezler
- Synthesis of silican-germanium by high dose germanium ion implantation into silican
Silisyum içine yüksek doz germanyum iyon ekimi ile silisyum-germanyum sentezlenmesi
MEHMET ŞAHİN
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RAŞİT TURAN
- Dynamic ion behavior in plasma source ion implantation
Plazma kaynaklı iyon ekiminde dinamik iyon hareketi
BİGE BOZKURT
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF.DR. SİNAN BİLİKMEN
- Structural, electrical and optical characterization of Ge-implanted GaSe single crystal grown by Bridgman method
Bridgman yöntemi ile büyütülen Ge-ekilmiş GaSe tek kristallerin yapısal, elektriksel ve optik karakterizasyonu
HAZBULLAH KARAAĞAÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT AKINOĞLU
PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Metal-semiconductor contact resistance and measurement techniques
Metal-yarı iletken kontak direnci ve ölçüm yöntemleri
NURDAN DEMİRCİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İBRAHİM GÜNAL
- Formation of semiconductor nanocrystals in SiO2 by ion implantation
SiO2 içinde yarıiletken nanokristallerin iyon ekme tekniği ile oluşturulması
UĞUR SERİNCAN
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN