Geri Dön

Characterization of CdS thin films and schottky barrier diodes

CdS ince filmlerin ve schottky bariyer diyotların karakterizasyonu

  1. Tez No: 167287
  2. Yazar: SİBEL KORKMAZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Schottky, CdS, ince film vıı, Schottky, CdS, thin film
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZ CdS ince filmlerin ve schottky bariyer diyotlarin KARAKTERİZASYONU KORKMAZ, SİBEL Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Çiğdem Erçelebi Eylül 2005, 81 sayfa. CdS ince filmleri, termal buharlaştırma yöntemiyle hiç bir katkılama yapılmadan cam tabanlar üzerine büyütülmüştür. Yapısal ve elektriksel incelemelerin sonucunda CdS ince filmlerin çoklu kristal yapıda ve n tipi olduğu; optik geçirgenlik analizinden de optik band aralığının 2.4 eV civarında olduğu bulunmuştur. Sıcaklık bağımlı iletkenlik ölçümleri 180 K - 400 K aralığında yapılmıştır. Bu ölçümlerden baskın iletim mekaniz masının 180 K ile 230 K arasında tünelleme, 270 K ile 400 K arasında termal emisyon olduğu tespit edilmiştir. Schottky aygıtı üretmek amacıyla CdS ince filmleri kalay- oksit ve indiyum-kalay-oksit kaplı cam tabanlar üzerine büyütülmüştür. Bu aygıtlarda önkontak olarak altın, platin, karbon ve altın pasta kullanılmıştır. Bu kontakların alanı yaklaşık 8xl0-3 cm2 olarak belirlenmiştir. Bu diyotlarm karakterizasyonu için 200 K ile 350 K arasında sıcaklık bağımlı akım-voltaj ölçümleri, oda sıcaklığında akım-voltaj ölçümleri, 1 kHz - 1 MHz frekans aralığında sığa- voltaj ölçümleri ve foto tepki ölçümleri yapılmıştır. Elde edilen Schottky aygıtlarının idealite faktörlerinin oda sıcaklığında en az 1.5 olduğu bulunmuştur. Sıcaklık bağımlı akım voltaj analizinden altınla yapılan diyotlarda baskın akım mekanizmasının tünelleme olduğu belirlenmiştir. Voltaj bağımlı visığa ölçümlerinden donor konsantrasyonunun 1024 m 3 civarında olduğu hesaplanmış tır.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT CHARACTERIZATION OF CdS THIN FILMS AND SCHOTTKY BARRIER DIODES KORKMAZ, SİBEL M.Sc, Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Çiğdem Erçelebi September 2005, 81 pages. CdS thin films were deposited by thermal evaporation method onto glass substrates without any doping. As a result of the structural and electrical investigation it was found that CdS thin films were of the polycrystalline structure and n-type; and of the transmission analysis optical band gap was found to be around 2.4 eV. Temperature dependent conductivity measurements were carried out in the range of 180 K-400 K. The dominant conduction mechanism is identified as tunnelling between 180 K-230 K and thermionic emission between 270 K and 400 K. To produce Schottky devices, CdS thin films were deposited onto the tin-oxide and indium-tin-oxide coated glasses, by the same method. Gold, platinum, carbon and gold paste were used as metal front contact in these devices. The area of these contacts were about 8xl0-3 cm2. Temperature dependent current-voltage measurements between 200 K and 350 K, room tempera ture current-voltage measurements, capacitance-voltage measurement in the frequency range 1 kHz - 1 MHz and photoresponse measurements were carried out for the charac terization of these diodes. Ideality factor of the produced Schottky devices were found ivto be at least 1.5, at room temperature. Dominant current transport mechanism in the diodes with gold contacts was determined to be tunnelling from the temperature dependent current voltage analysis. Donor concentration was calculated to be about 1024 m~3 from the voltage dependent capacitance measurement.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    153498

    Investigation of InSe thin film based deviges

    İnSe ince film tabanlı aygıtların incelenmesi

    KORAY YILMAZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET PARLAK

    PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ

  2. Tez No

    181500

    CdS, CdSe ve CdTe bileşik yarıiletken ince filmlerinin aynı çözeltiden elektrokimyasal olarak au(111)elektrodu üzerinde büyütülmesi ve AFM, STM, XRD ve UV-VIS spektroskopisi ile karakterizasyonu

    Electrochemical growth of CdS, CdSe and CdTe compound semiconductor thin films on au(111) electrode from single deposition bath and characterization by AFM,STM, XRD and UV-VIS spectroscopy

    İLKAY ŞİŞMAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    KimyaAtatürk Üniversitesi

    Analitik Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. ÜMİT DEMİR

  3. Tez No

    184045

    Kimyasal biriktirme yöntemi ile CdS, ZnS ve PbS yarıiletken nano yapıların üretilmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of CdS, ZnS and PbS semiconductor nanostructure with chemical bath deposition

    CEMALETTİN TÜRKMEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    EnerjiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL

  4. Tez No

    177800

    In2S3, CdS ve In1-xCdxS yarı iletken ince filmlerinin Sılar Metodu ile büyütülmesi ve karakterizasyonu

    In2S3, CdS and In1-xCdxS semiconductor thin films growth by Sılar method and characterization

    MUTLU KUNDAKÇI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM

  5. Tez No

    35518

    İnvestigation of thin film Cds/CdTe heterojunction devices

    İnce film n-cds/p-CdTe heteroeklem aygıtların incelenmesi

    HABİBE MAMIKOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ

Geri Dön