GaAs/Al0.2Ga0.8As süperörgünün optiksel özelliklerinin fotomlüminesans yöntemiyle incelenmesi
Examination of optical properties of GaAs/Al0.2Ga0.8As superlattice with photoluminescence method
- Tez No: 166080
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. MAHİR BÜLBÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
m GaAs/Alo.2Gao.8As SÜPERÖRGÜNÜN OPTİKSEL ÖZELLİKLERİNİN FOTOLÜMİNESANS YÖNTEMİYLE İNCELENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Sibel ÖZKAYA GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Ağustos 2005 ÖZET Bu çalışmada GaAs/Alo.2Gao.gAs süperörgü numunesinin fotolüminesans spektrumu 240-600 nm dalgaboyu ve 450 W güç çıkışlı ksenon lambası kullanılarak ölçüldü. Spektrumun pikleri tanımlandı ve geçiş işlemlerinin sıcaklığa bağlı değişimleri ifade edildi. 300 ile 20 K aralığında yapılan ölçümlerde, GaAs/Al0.2Ga0.8As süperörgünün, düşen sıcaklıkla birlikte FL piklerinin tepe noktasının yüksek enerji değerlerine doğru kaydığı görülmüştür. Bilim Kodu Anahtar Kelimeler Sayfa Adedi Tez Yöneticisi 4040501 Süperörgü, Kuantum Kuyuları, Fotolüminesans 50 Yrd. Doç. Dr. M. Mahir BÜLBÜL
Özet (Çeviri)
IV EXAMINATION OF OPTICAL PROPERTIES OF GaAs/AfaGflojAs SUPERLATTICE WITH PHOTOLUMINESCENCE METHOD (M.Sc. Thesis) Sibel ÖZKAYA GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY August 2005 ABSTRACT In this study, the photoluminescence spectrum of GaAs/Alo.2Ga0.8As supertlattice sample was measured by using 450 W output power and 240-600 nm wavelength of xenon lamp. The peaks of the spectra have been identified and the temperature-dependent variations of the recombination processes have been determined. It is noted that the value of the PL peak shifted to higher energy as the temperature goes down in the range of 20-300 K. Science Code Key Words Page Number Adviser 4040501 Superlattice, Quantum Well, Photoluminescence 50 Asst. Prof. Dr. M. Mahir BÜLBÜL
Benzer Tezler
- AI 0.2 Ga 0.8 As/GaAs (100) nanoyapısının büyütülmesi ve I-V özelliklerinin incelenmesi
The growth of AI 0.2 Ga 0.8 As/GaAs (100) nanostructure and the investigation of I-V properties
HİLAL GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri
Transport properties of InGaAs/GaAs and A1GaAs/GaAs semiconductors grown by MBE
SEFER BORA LİŞESİVDİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- Moleküler demet epitaksi tekniğiyle üretilen Al0.6Ga0.4As/GaAs tekli kuantum kuyulu yapının optiksel ve yapısal özellikleri
An investigation of optical and structural properties of the growth AlGaAs/GaAs mono quatum well semiconductor structure by molecular beam epitaxy
VEYSEL ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
Y.DOÇ.DR. ORHAN ZEYBEK
- Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda sıcak elektronların enerji kayıp mekanizmalarının incelenmesi
An investigation of energy loss mechanism of hot electrons in low dimensional semiconductor structures
GÖKHAN ALGÜN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÇETİN ARIKAN
- GaAs-Alo 3Gao 7As kuantum çukurları sistemlerinde düzlemsel fotoiletkenlik
Başlık çevirisi yok
YÜKSEL ERGÜN
Doktora
Türkçe
1991
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ GÜNGÖR