Electirical transport in metal-oxide-semiconductor capacitors
Metal-oksit-yarı iletken kondansatörlerde elektiriksel taşıma
- Tez No: 153448
- Danışmanlar: PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Metal-Oksit-Yarı iletken, aşırı ince oksit, Schottky salımı, Fowler- Nordheim, Poole-Frenkel, kapan., Metal-Oxide-Semiconductor, ultra-thin oxide, Schottky emission, Fowler- Nordheim, Poole-Frenkel, trap. iv
- Yıl: 2004
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz METAL-OKSİT-YARI İLETKEN KONDANSATÖRLERDE ELEKTRİKSEL TAŞIMA Arıkan, Mustafa Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Raşit Turan Ağustos 2004, 75 sayfa Metal-Oksit-Yarı iletken (MOS) kondansatörlerdeki elektriksel taşıma mekanizmaları incelendi. Bu çalışmada kullanılan aygıtlar akım-gerilim yöntemleri kullanılarak karakterize edildi. Fiziksel katsayı çıkarımı ve bilgisayarla yaratılmış verilerin uyumu yöntemleri deneysel verilere uygulandı. İki aygıt incelendi: Göreceli kalın oksit (125 nm) ve aşırı ince oksit (3 nm) MOS yapıları. Bu aygıtların gerilim ve sıcaklık bağımlılıkları günümüzdeki akım-gerilim modelleri kullanılarak açıklandı.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT ELECTRICAL TRANSPORT IN METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR CAPACITORS Ankan, Mustafa M. Sc, Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Raşit Turan August 2004, 75 pages The current transport mechanisms in metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors have been studied. The devices used in this study have characterized by current-voltage analyses. Physical parameter extractions and computer generated fit methods have been applied to experimental data. Two devices have been investigated: A relatively thick oxide (125 nm) and an ultra-thin oxide (3 nm) MOS structures. The voltage and temperature dependence of these devices have been explained by using present current transport models.
Benzer Tezler
- Silisyumun yönlü aşındırılması ve mikroalgılayıcılar
Anisotropic etching of silicon and microsensors
F.ALİ ALDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- Katodik Ark Pvd yöntemi ile üretilmiş tiaın ve tin kaplamalarının korozyon özellikleri
Başlık çevirisi yok
LEVENT CANDEMİR
- Beton çeliklerin oksidasyonu ve oksit tabakasının karakterizasyonu
Başlık çevirisi yok
S.SEMİH OCAKSÖNMEZ
- Sol-Jel metoduyla hazırlanan metaloksit filmlerin yapısal ve elektriksel karakterizasyonu
Structural and electrical characterization of Sol-Gel derived metal-oxide films
DİLEK TAŞKIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. AHMET ALTINDAL
YRD. DOÇ. DR. FATİH DUMLUDAĞ
- Metal-yalıtkan-yarıiletken yapıların (MIS) elektriksel özellikleri
Electrical properties of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures
DİLBER ESRA YILDIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZEK