Geri Dön

Metal-yalıtkan-yarıiletken yapıların (MIS) elektriksel özellikleri

Electrical properties of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures

  1. Tez No: 126056
  2. Yazar: DİLBER ESRA YILDIZ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZEK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MİS, Sn02 arayüzey, Arayüzler, Elektriksel özellikler, Kalay oksit, MIS, MIS, Sn02, interface states Page number:80 Adviser : Assist. Professor Metin ÖZER, Interfaces, Electrical properties, Tin oxide, Metal insulator semiconductor
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

METAL-YALITKAN-YARltLETKEN YAPILARIN (MIS) ELEKTİRİKSEL ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Dilber Esra Yıldız Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Ağustos 2002 ÖZET Bu çalışmada; Sn02 arayüzey tabakasına sahip Au/n-Si/Sn02/Au MİS diyodlarmm elektroniksel özellikleri araştırıldı. Bu amaçla, n-tipi 4Q-cm özdirençli (111) yönelimli silisyum tek kristali kullanılarak Au/n- Si/Sn02/Au diyodları hazırlandı. Sn02 tabakası püskürtme yöntemiyle oluşturuldu. Elde edilen diyodlara etki eden faktörler ve elektronik parametreler incelendi. Düz bestem akım-gerilim (I-V) ve ters beslem kapasite-gerilim (C-V) belirtkenleri 200-350 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Elde edilen sonuçlara göre akım iletim mekanizması idalite faktörünün 1'den büyük olduğu tünelleme katkılı termiyonik emisyon modeline uymaktadır. C-Y ölçümlerinden hesaplanan engel yüksekliği I-Y ölçümlerinden hesaplanan engel yüksekliğinden daha büyük bulunmuştur. Bilim Kodu : 404.05.01

Özet (Çeviri)

11 ELECTRICAL PROPERTIES OF METAL-INSULATOR-SEMİCONDUCTOR (MIS) STRUCTURES (Thesis for Master of Science) Dilber Esra Yıldız GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY Ağustos 2002 ABSTRACT The effect of surface electronic conductivity of Au/Sn02/n-Si/Au structures are determined in this study. Au/Sn02/n-Si/Au diodes were prepared in n-type, 4 Q-cm resistivity and (111) oriented silicon crystals. Sn02 thin films are provided by spraying system. The effects of electrical currents and other physical characteristics on the electronical conductivity of the structures were observed. Both the forward bias current-voltage (I-V) and reverse capacitance-voltage (C-V) characteristics were measured at the temperature ranges of 200-350 K. As for the results of our experiments, the current transport mechanism is in accordance with the TE theory, which is valid for ideality factor n>l. It is found that our experimental values the calculated (J>B of C-Y values are higher than the I-V measurements. Science code:404.05.01

Benzer Tezler

  1. Tez No

    39524

    P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films

    HAYRETTİN YÜZER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. A. HİKMET ÜÇIŞIK

  2. Tez No

    216682

    Al/SiO2/p-Si (MIS) yapılarda temel fiziksel parametrelerin frekansa ve radyasyona bağlı incelenmesi

    The investigation of frequency and radiation dependent of main physical parametres of Al/SiO2/p-Si (MIS) structures

    İLKE TAŞÇIOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY

  3. Tez No

    177638

    Au, Cu ve Al/n-InP Schottky eklemlerin karakteristik parametrelerinin belirlenmesi

    The determination of characteristic parameters of Au, Cu and Al/n-InP Schottky contacts

    HİDAYET ÇETİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. ENİSE AYYILDIZ

  4. Tez No

    13042

    Metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapılarında yüzey durumlarının tayini

    Determination of surface states in metal/insulator/semiconductor/metal structures

    BAYRAM ÜNAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1990

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    PROF.DR. NECMİ SERİN

  5. Tez No

    128359

    Metal/n-tipi GaAs schottky diyotlarında havada oksitlenme ve yaşlanmanın akım-gerilim (I-V) ve kapasite, konduktans-gerilim, frekans (C,V-G,f) karakteristiklerine etkisi

    The Effects of oxidation in air and ageing on current-voltage (I-V) and capacitance, conductance-voltage, frequency (C,V-G,f) characteristics of metal n-type GaAs schottky diodes

    AHMET FARUK ÖZDEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ KÖKCE

Geri Dön