Nötronlarla ışınlamanın ve su vermenin p-tipi silisyumun özdirenci ve taşıyıcı yoğunluğu üzerine etkileri
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 1430
- Danışmanlar: DOÇ.DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1987
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, su verme işleminin ve nötronlarla ışınlamanın p-tipi silisyum kristalinin taşıyıcı yoğunluğu üzerindeki etkilerini 12 2 incelemek için, 0slO n/cm-sn akıya sahip karışık termal ve hızlı nötronlarla 45 dk. ışınlanmış ve 900 °C ye kadar ısıtılıp, sıvı azotta aniden soğutulmuş p-tipi silisyum kristalleri kullanıldı. Kare numunenin köşelerine omik kontak yapmak için hH saflıkta Al buharlaştırıldı ve 580 C de alaşım yapılarak p p yapısı oluşturul du. 1150 -«-cm özdirençli p-tipi silisyumda yapılan Sail ölçümlerinde, 19 -3 taşıyıcı yoğunluğu 1,092 X10 m olarak bulundu ve bu değer kullanı lacak yapılan hesaplamada, özdirenç değeri llA-f -a-cm olarak bulundu, p-tipi silisyumun nötronlarla ışınlanmasında, hızlı nötronlar yeni e- lektron tuzakları oluşturduğundan, özdirencin ll^F-^-cm âen 421-^-cm ye düştüğü ve taşıyıcı yoğunluğunun 1,092 X10 7 m ^ deü 3» 593 *10 m ' e yükseldiği gözlendi. Su verilmiş numunelerde ise yeni boşluk tuzak se viyelerinden dolayı, özdirencin 2580 ^-cm ye yükseldiği ve taşıyıcı yo la - ^ ğunluğunun 6,^14 X10 me düştüğü tesbit edildi. Her iki durumda da bulunan neticeler literatürde verilen farklı özdirençlere sahip silisyumlarda gö2lenen neticelerle paralel lik gösterdi.
Özet (Çeviri)
In this work, p-type silicon crystals are irradiated with 12 2 mixed termal and fast neutrons having a flux of 0=10 n/cm -sn for 4-5 minutes and are quenched in liquid nitrogen after heating up to 900 C are used to study the effects of irradiation and quenching on the carrier concentration of p-type silicon crystals. At 4N purity Al are evaporated to the corners of square sample and the device of p p was formed by alloying at 580 C. The carrier concentration of p-type silicon crystals given resistivity of 19 1150jcz-cm is determined from Hall effect measurements as 1,092 X10 m and by using this value, the resistivity is calculated as 114?.a -cm. Since the fast neotrons irradiation will produce new electrons traps in p-type silicon, in neutron irradiated crystals, the decrease in re sistivity from 1145^-- cm to 421.a-cm and the increase in carrier con- 19 -"? 19 -3 centration from 1,092 X10 7 m J to 3,593 X10 J m ' is observed. In quenched samples, there is increase in resistivity to 2580^-cm and decrease in carrier concentration to 6,414 X10 m, because the qu enching produces new hole traps. In both cases, our results is shown parallellisim with those of p-type silicon having different resistivities given in literature.
Benzer Tezler
- Bir cevher numunesindeki izotopların ve yarıömürlerinin belirlenmesi
Determination of isotops and their half life of a natural sample
BİRKAN BELİN
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. H. HÜSEYİN GÜVEN
- Nötron yakalama gamma-ışın spektroskopisi ile madde analizi
Başlık çevirisi yok
N.FÜSUN ERDİCAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
Fizik ve Fizik MühendisliğiEge ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FEVZİ CİĞEROĞLU
- Doğrultucu yapıların sığa özellikleri, DLTS tekniği ve yapısal kusurların araştırılması
Başlık çevirisi yok
SEBAHATTİN KARTAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Bir gamma spektrumunun piklerinin tanınmasını otomatik olarak yapan bilgisayar programı
An Otomated peak identification programme for assigments of gamma ray spectra
PELİN SARITEPE
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÇETİN BOLCAL
- U-233'ün termal fisyonunda, ani-nötron, ani-gama ve kütle verimi dağılımlarının monte-carlo tekniği ile incelenmesi
Investigation of prompt neutron, prompt gamma and mass yield distributions of U-233 in thermal neutron fission by monte-carlo method
SEVİL BAYBURT
Doktora
Türkçe
1999
Nükleer MühendislikEge ÜniversitesiNükleer Bilimler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜNGÖR YENER