Yarıiletken uygulamalar için geleneksel yöntemlerle NiSi üretim koşullarının belirlenmesi
Nisi production for semiconductor application by using conventional methods
- Tez No: 139735
- Danışmanlar: DOÇ. DR. NURHAN CANSEVER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
- Anahtar Kelimeler: Silisidasyon, silisit, salisit, NiSi, RTP xı, Silicidation, silicide, salicide, NiSi, RTP xn
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Malzeme Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Yaptığımız bu çalışmada, temel yarıiletken uygulamalarının açıklaması ve bu uygulamalarla gelişmiş entegrasyonların oluşturulması, Malzeme Bilimi' nin incelediği bir perspektifte ele alınmaktadır. Bu amaçla, mikroelektronikte devrelerin ince filmler halinde, üzerinde oluşturulduğu silisyum pulların üretimi ve temel devre üretim prosesleri incelenmektedir. Yüksek yoğunluklu entegrasyonlarda, sığ katkılı bölgelerden oluşan yüksek tabaka direncine çözüm olarak silisitler görülmektedir. Düşük tabaka direnci ve silisyum tüketimi ile, diğer silisitlerden daha iyi özelliklere sahip NiSi oluşumu incelenmiştir. Bu amaçla, Ni - Si fazlarından, Nİ2Sİ, NiSi ve NİSİ2 fazlarının üretim koşullan belirlenerek NiSi için uygun üretim koşullar tespit edilmiştir. Yaptığımız deneysel çalışmada, yüzeyleri elektron ışınıyla buharlaştırma yöntemiyle, 500 Â ve 1000 Â kalınlıklarda kaplanan n tipi, (100) yönelimli silisyum pullar geleneksel tüp fırın ile ısıl işlenmiş ve NiSi üretim koşullan belirlenmiştir. Yapılan literatür araştırmasından NiSi' in elde edilebildiği sıcaklık aralığı olarak, 350 °C - 750 °C aralığı tespit edilmiş ve bu veriye dayanarak kaplanan numunelere 500 °C ve 600 °C lerde 20 ve 30 dakika ısıl işlem uygulanmıştır. Numunelerde uygulanan XRD analizleri sonucunda, 500 Â saf Ni kaplanan iki numunede NiSi fazına ait pikler tespit edilmiştir. Numunelere dört prob testi ile tabaka direnci ölçümünün yanı sıra taramalı elektron mikroskobu (SEM) analizi de yapılmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT In this study, the basic semiconductor applications and advanced integrations methods are investigated from the perspective of Material Science. In this aspect, the basic microelectronic fabrication processes and silicon wafer production are studied. In todays microelectronic technology, as the device dimensions become smaller in high scale integrations, the increment in sheet resistance has become a problem for device fabrication with the usage of shallow doped regions. As a matter of fact, silicides play a significant role in solution of this problem. This study has been carried out to understand the fabrication conditions of NiSi, which is widely used in semiconductor device fabrication for its low silicon consumption, low sheet resistance and many other superior properties. As a result, to understand the appropriate fabrication techniques for NiSi, the Nİ2Sİ, NiSi and NİSİ2 phases in Ni - Si phase system are studied as well. In our experimental study, n type, (100) silicon wafers are used. Samples are deposited with 500 Â and 1000 Â nickel by e-beam evaporation system. After deposition, samples are annealed in conventional furnace at 500 °C and 600 °C for 20 and 30 minutes respectively. In XRD analysis the NiSi characteristic peaks are identified in 500 Â nickel deposited samples. Four point probe and SEM analyzes are also carried out on samples that NiSi has been identified.
Benzer Tezler
- Yüksek verimli yarıiletken güneş enerjisi dönüştürücüsüne yeni bir yaklaşım
A New approach to the design of a semiconductor solar energy converter
AYHAN ÖZTÜRK
- The growth, fabrication and characterisation of high performance AlxGa1-xN metal-semiconducto-metal photodiodes
Yüksek performanslı AlxGa1-xN metal-yarıiletken-metal fotodiyotların büyütülmesi, üretilmesi ve karakterizasyonu
SERKAN BÜTÜN
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. EKMEL ÖZBAY
- Mikroelektronik uygulamalar için düşük sıcaklıklarda oksitlenme yöntemlerinin irdelenmesi
Başlık çevirisi yok
RIFAT YENİDÜNYA
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYTEN KUNTMAN
- Çinko oksit yarıiletken bileşiğin elektriksel ve optik özellikleri
Electrical and optical properties of zinc oxide semiconductor component
OSMAN AKKOYUNLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHSİN ZOR
- Statistical design and yield enhancement of low voltage cmos VLSI circuits
Düşük gerilimli analog VLSI devrelerin istatistiksel tasarımı
TUNA B. TARIM
Doktora
İngilizce
1999
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. H. HAKAN KUNTMAN