Mikroelektronik uygulamalar için düşük sıcaklıklarda oksitlenme yöntemlerinin irdelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 66212
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AYTEN KUNTMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Oksitlenme, Oksitler, Oxidation, Oxides
- Yıl: 1997
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET MİKROELEKTRONİK UYGULAMALAR İÇİN DÜŞÜK SICAKLIKLARDA OKSİTLEME YÖNTEMLERİNİN İRDELENMESİ Yarıiletken teknolojisinde oksit büyütme değişik yöntemlerle değişik amaçlar için yaygın olarak kullanılmaktadır. Kullanımının yaygınlığı nedeniyle bu çalışmada önce yüksek sıcaklıkta oksit büyütme yöntemleri incelendi. Bu yöntem kullanıldığında yeterince kalın oksit elde etmek silisyumun ancak yeterince uzun süre bekletmekle mümkün olmaktadır. Kalın oksit elde edilmesini zorlaştıran en önemli etki silisyum pul üzerindeki oksit tabakası kalınlaştıkça oksijenin difüzyonunun zorlaşmasıdır. Yüksek : sıcaklık uygulamaları ise daha önceden yapılmış katkılamaların üzerinde etkili olmaktadır. Daha da önemlisi yüksek sıcaklıkta oksit büyütme metalizasyon aşamasından sonra mümkün değildir. Metalizasyon aşamasından sonra CVD veya silisyum pulun üzerini oksit çözeltisi ile kaplama kullanılabilir. CVD yaygın olarak kullanılmasına rağmen cihazların karmaşıklığı ve de yüksek vakum ortamının elde edilmesinin uzun sürmesi nedeniyle sorunları olan bir tekniktir. Silisyum pulu oksit çözeltisi ile kaplama ise kullanılan maddeler nedeniyle oksit filmde çatlama ve karbon kirliliği olabilmektedir. Bu çalışmada oksit çözeltisi karbon kirliliği ve oksit filminin çatlama risklerini azaltacak şekilde hazırlanmış ve elde edilen oksit filminin karakterizasyonu yapılmıştır 42
Özet (Çeviri)
SUMMARY ANALYSIS OF LOW TEMPERATURE OXIDE GROWTH TECHNIQUES FOR MICROELECTRONICS APPLICATIONS Oxide growth in semiconductor inddustry used for different purposes, by using different techniques. Because of their wide use oxide growth techniques at high temperatures are discussed first. In order to have enough thick oxides by using this technique, the wafer should be kept in hot environment for a quite a long time. But oxygen diffusion through the oxide film gets more difficult with increasing oxide thickness. Besides high temperatures, also effect the diffusion profile and after metalization any kind of high temperature process is impossible. Techniques, which are used after metalization, are CVD or covering the wafer surface with oxide solution. Despite CVD is used widely, it has problems because of equipment complexity and required time for high vacuum. At the other hand covering the wafer surface with oxide solution generally suffers from cracks on oxide film and carbon contamination. In this work silicium wafer is coverd with silicide acide solution and then oxide characteristics are investigated. 43
Benzer Tezler
- Magnet teknolojisi için süper iletken şerit ve tellerin sol-jel tekniğiyle yalıtılması
Insulation of super conducting tapes and wires by sol-gel technique for magnet technology
ERDAL ÇELİK
Doktora
Türkçe
2000
Metalurji MühendisliğiSakarya ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EŞREF AVCI
- Mikrodalga ile kür edilmiş silikon içeren epoksi reçineler
Microwave curing of siloxane containing epoxy resins
MURAT KARADAYI
- ATM networks and ATM switching architectures
ATM (Asenkron transfer modu) ağları ve ATM seçici mimarileri
TOLGA AÇIKÖZ
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik ÜniversitesiKontrol ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET BÜLENT ÖRENCİK
- Adaptive position control of permanent magnet synchronous motors and torque ripple compensation
Başlık çevirisi yok
O.SETA BOĞOSYAN
Doktora
İngilizce
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. TAMER KUTMAN
- Switching mode power supply and fly back converter design
Başlık çevirisi yok
ERKİN CÜCE
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMİN TACER