MOS yapılarda kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/W-V) karakteristiklerinin frekans ve radyasyona bağlı incelenmesi
The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/W-V) characetrsitics depend on frequency and radiation in MOS structure
- Tez No: 133347
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MOS yapılar, arayüzey durumları, seri direnç, frekans ve radyasyon etkileri, Frekans, Radyasyon, İletkenlik, MOS structure, interface states, serial resistance, effects of frequency and radiation, Frequency, Radiation, Conductivity
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, n-Si yarıiletken üzerine buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar, püskürtme yöntemiyle de metal-yarıiletken arasına yalıtkan SnO2 tabakası oluşturulmuş Au/SnO2/n-Si MOS yapısının temel bazı fiziksel parametrelerinin frekansa ve radyasyona bağlı değişiminin incelenmesi amaçlanmıştır. Au/Sn02/n-Si (MOS) yapının C-V ve G/w-V ölçümleri farklı frekanslar için oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Bu Ölçümlerden yapının seri direnç, ilave kapasitans, arayüzey durumları gibi bazı temel karakteristikleri frekansa bağlı hesaplandı. Daha sonra yapı Co60 radyasyon kaynağından farklı dozlarda radyasyona tabi tutularak benzer ölçüm ve hesaplamalar tekrarlandı. Yapılan deneysel ölçümler ve hesaplamalar, bu yapıların hemen hemen tüm temel fiziksel parametrelerinin yapıdaki arayüzey durum yoğunluğuna, uygulanan de gerilime, frekansa ve radyasyon dozuna bağlı olarak önemli ölçüde değiştiğini göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this study Au/Sn02/n-Si MOS structure was made, by top of n-Si semiconductor with evaporation technique ohmic and rectifier contacts, with spray technique insulator Sn02 layer is formed between metal layer and semiconductor layer. Our aim is to analyse Au/SnOz/n-Si structure some basis physical parameters by the changing frequency and radiation. Au/SnOt/n-Si (MOS) structure C-V and G/w-V measurements for different frequency were made at room temperature. From these measurements we calculate structure serial resistance, excess capacitance and interface state density by frequency. After than with the Co60 radiation source in different doses we made same measurement and calculations. Result shows that in experiments this structure almost all physical parameters change by interface state density, dc voltage, frequency and radiation.
Benzer Tezler
- Al/P-Si Schottky diyotlarında MS ve MOS yapılarda diyot parametrelerinin karşılaştırılması
In Al/P-Si Schottky diodes and MS and MOS states on the comparation of diodes parameters
İKRAM KELEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI
- Determination of trap levels of MOS structure semiconductor devices at cryogenic temperatures
MOS yapılı yarı iletken devre elemanlarının tuzak seviyelerinin düşük sıcaklıklarda tespiti
NURAN DOĞRU
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SADETTİN ÖZYAZICI
- MOS yapılarda temel fiziksel parametrelerin frekans ve radyasyon miktarına bağlı incelenmesi
The investigation of basic physical parameters depend on frequency and radition dose rate in MOS structures
ADEM TATAROĞLU
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Production and electrical characterization of metal and polysilicon gate MOS structures
Polisilikon ve metal elektrodlu MOS yapının üretimi ve elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
BÜLENT MUTLUGİL
Doktora
İngilizce
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Mos yapılarda gama radyasyonunun etkileri
Gama radiation effect on mos structure
TİMUR CANEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiKocaeli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE