Al/P-Si Schottky diyotlarında MS ve MOS yapılarda diyot parametrelerinin karşılaştırılması
In Al/P-Si Schottky diodes and MS and MOS states on the comparation of diodes parameters
- Tez No: 179400
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Arayüzey halleri, Engel yüksekliği, Schottky diyodu, Omik kontak, Barrier height, Interface states, Ohmic contact, Schottky diode
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Al/p-Si/Al Schottky kontaklarını ürettik. Üretilen yapının elektriksel karakteristiklerini incelemek için iki örnek göz önüne alındı. Numune fabrikasyonu için, 13 Wcm özdirençli ve 500 mm kalınlıklı p-Si taban malzeme (substrate) olarak kullanıldı.Numunelerin akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kapasitans-frekans (C-f) ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Ters doyma akım yoğunluğu (Io), idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği (Fb) değerleri her iki yapı için yarı logaritmik I-V grafikleri kullanılarak elde edildi. İlave olarak, hesaplanan idealite faktörü ve engel yüksekliği değerlerini kontrol etmek ve seri direnç değerlerini belirlemek için Cheung fonksiyonları kullanıldı.Numunelerin ters beslem kapasitans-voltaj (C-V) ve (C-2-V) grafikleri -3 V-0 V aralığında ve 1MHz'de çizildi. Al/p-Si/Al kontakların C-V karakteristikleri bu grafikler kullanılarak incelendi. Ayrıca, numunelerin kapasitans-frakans karakteristikleri, C-f grafikleri kullanılarak araştırıldı. C-f grafiklerinden görüldüki, ölçülen kapasitansın büyük değerleri düşük frekanslarda meydana gelmektedir ve frekansın belli bir değerine kadar neredeyse sabit kalmaktadır. Kapasitansın büyük değerlerinin küçük frekanslarda meydana gelmesi, düşük frekanslarda ac sinyaline ayak uydurabilen ve p-Si ile dengede olan arayüzey hallerinden kaynaklanan artık sığadan ileri gelmektedir.
Özet (Çeviri)
In this study, we have used Al/p-Si Schottky contacts fabricated previously. Samples have been named to be diode I and II diode.In nowadays technology and in electronic industry Schottky contacts are widely used and they have large applied field. Due to that useful necessity of them, they must be vastly investigated.In this study, on the n-type silicon crystal the contacts of aluminum have been made and the characteristics of ln (I)-V, C-V, C-f of Al/p-Si Schottky diode have been investigated.From ln(I)-V plot of the Al/n-Si/Al diode, idealizing factor (n), barrier height (eFbn), donor density (ND), saturation current (I0) and serial resistor (Rs) have been calculated. In addition by using of Cheung functions the same parameters have been checked.In a certain frequency interval of the diode C-V characteristics have been examined and in obtained graphic peak values have been observed. The C-f characteristics of the Al/n-Si/Al diode have been studied. Causes of addition capacity of the space charge have also been researched.
Benzer Tezler
- Al/p-Si ve Au/n-Si schottky diyotlarda I-V ve C-V karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında analizi
Analysis of I-V ve C-V measurements Al/p-Si and Au/n-Si schottky diodes in a wide temperature
İLBİLGE DÖKME
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Plazma nitrürleme ile Si(100) yüzeyi üzerine büyütülen arayüzey tabakasının Schottky diyot parametreleri üzerine etkisi
The effect of the interface layer grown on Si(100) surface by plasma nitridation on the Schottky diode parameters
BEHİYE BOYARBAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ENİSE AYYILDIZ
- Cu/p-Si Schottky diyotlarının karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
The determination the current mechanism of the Cu/p-Si Schottky diodes
HAMZA TEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. AHMET GÜMÜŞ
- Schottky diyotlarında akım iletim olayı ve seri direnç etkisi
Başlık çevirisi yok
AHMET GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Amorf silisyum güneş pillerinde“degrading”olayının incelenmesi
Degradation of amorphous silicon solar cells
TÜLAY SERİN
Doktora
Türkçe
1988
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ARSIN AYDINURAZ