a-SİC:H ince filmlerde elektriksel ölçümler ve ölçü düzeneğinin kurulması
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 12608
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: İnce filmler, Thin films
- Yıl: 1990
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu çalışmada, 450K-77K sıcaklık aralığında karanlık ilet kenlik ve f otoiletkenlik deneyleri yapılabilecek bir ölçü düzeneği kurulmuştur. Bir plazma biriktirme sisteminde, silan-metan gaz karışımının“glow discharge”yöntemiyle ayrıştırılmasıyla hazırlanan hidrojenli amorf silisyum- karbon“(a-SiC:H) filmlerin iletkenlik ölçüleri, kurulan bu ölçü düzeneğinde yapılarak aşağıdaki sonuçlar elde edil miştir : 300K-420K sıcaklık aralığında yapılan karanlık iletkenlik ölçülerinde, iki farklı iletkenlik rejimi gözlenmiştir. Karanlık iletkenliğin aktivasyon enerjisi için, 350K'ın üstünde ve altında iki farklı değer elde edilmiş ve bu ak tivasyon enerjileri AE1, (yüksek sıcaklık) ve AE2”(alçak sı caklık) ' nin artan karbon oranı ile arttıkları sonucuna va rılmıştır. a-SiC:H filmlerin fotoiletkenliği 200K-420K sıcaklık ara lığında, üç farklı foton akısında ölçülmüş ve karbon mik tarı arttırıldığında, f otoiletkenlikte kuvvetli bir azal ma gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
SUMMARY In this work, an apparatus is constructed to measure dark conductivity and photoconductivity of thin film samples at a temperature between 4 5 OK and 77K in vacuum. The measurements are reported on the dark conductivity and photoconductivity of hydrogenated amorphous silicon- carbon alloys (a-SiC:H) prepared from the glow-discharge decomposition of silane-methane mixtures at various carbon concentrations. The dark conductivity of the alloys has been measured in the temperature range 3 00K-42 0K, and two conduction regiues have been observed. For the activation energy of the dark- conductivity, two different values have been obtained above and below ^350K, and it is concluded that these activation energies AE, (high temperature) and AE~ (low temperature) Increase when the carbon concentration is increased. The photoconductivity of the a-SiC:H films has been measured in. the temperature range 200K-420K at three different photon fluxes. A strong decrease is observed in the photoconductivity, when the carbon content is increased.
Benzer Tezler
- Plazma yardımlı kimyasal buhar depolama yöntemiyle üretilen hidrojenli amorf silisyum ince filmlerde karbon ve bor atomlarının elektriksel ve optik özelliklere etkileri
Başlık çevirisi yok
IŞIK KARABAY (OFLAZER)
Doktora
Türkçe
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEVKET ERK
- Amorf silisyum karbür filmlerinin hazırlanması ve çeşitli fiziksel özelliklerinin ölçümü
Başlık çevirisi yok
RAMAZAN ESEN
Doktora
Türkçe
1986
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. REMZİ ENGİN
- Analyset of silicon based thin films by fourier transfer infrared spectroscopy
Silikon tabanlı yarı iletken filmlerin kızılötesi spectrometre ile analizi
ÖZCAN BAZKIR
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- 6063 aluminyum alaşımlarının korozyon direnci üzerine anodizasyon öncesi yüzey işlemlerinin ve AA anodizasyonla üretilmiş ince oksit filmlerinin etkisi
The Effect of pretreatment and thin layer sulfuric acid a C anodization of 6063 aluminum alloys on its corrosion resistance
FERİHA SERTÇELİK