Metal/ GaAs ve metal/ yalıtkan/ GaAs schottky diyotların akım-kapasite-gerilim karakteristiklerinin incelenmesi
The Determination of the current-capaticance-conductance characteristics of metal/ GaAs and metal/ insulator/ GaAs schottky diodes
- Tez No: 121387
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Metal/Yalıtkan/Yarıiletken Yapılar, Anodik Oksidasyon, Schottky Engelleri, Schottky Diyotlar, Metal/Yarıiletken Kontaklar, Metaller, Schottky diyodları, Yalıtkanlar, Metal/Insulator/Semiconducting Devices, Anodic Oxidation, Metal/Semiconductor Contact, Schottky barriers, Schottky diodes, Metals, Insulators
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Y. Lisans Tezi METAL/GaAs ve METAL/Y ALITKAN/GaAs SCHOTTKY Dİ YOTLARIN AKIM-KAPASİTE-GERİLİM KARAKTERİSTİKLERİNİN İNCELENMESİ Nezir YILDIRIM Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : Prof.Dr.Abdülmecit TÜRÜT Al/n-GaAs Schottky diyodlar, n-GaAs (100) yarıiletkeninin bir yüzüne omik kontak için Au-Ge, diğer yüzüne doğrultucu kontak için Al (%99.9) buharlaştırılarak elde edildiler. Au-Ge/n-GaAs/Al Schottky diyodun oda sıcaklığında I-V ve C-V ölçümleri yapıldı. I-V, C-V ve C“2-V karakteristikleri çizildi. Referans numune ile MİS Schottky diyodun I-V karakteristiklerinden idealite faktörü ve etkin engel yüksekliği hesaplandı. Referans numune için idealite faktörü n=2A0, etkin engel yüksekliği de 0.62 eV bulundu. Bulunan bu değer diyodumuzun ideal olmadığını gösterir. Bu ideal olmayış arayüzey hallerine ve arayüzey tabakasına atfedildi. MİS Schottky diyod için ise idealite faktörü n=1.48 bulunurken, etkin engel yüksekliği de yaklaşık 0.825 eV olarak hesaplandı. Ayrıca bu iki diyod için imaj kuvvetinden ve tünellemeden dolayı engel yüksekliklerinde meydana gelen düşmeler ile idealite faktörlerindeki değişmeler de belirlendi. Yine bu numuneler için doğru ve ters beslem altında C-V ile C”2-V karakteristiklerinden yararlanılarak iki numune için de difüzyon potansiyeli (Vd), Fermi enerji seviyesi (V"), donor konsantrasyonu (Nd) ve engel yükseklikleri (Ot,n) hesaplandı. Sonuç olarak arayüzey hallerinin, oksit tabakasının ve seri direncin elde edilen parametrelerin idealliğine büyük ölçüde etki ettiği görüldü. 2002, 70 sayfa
Özet (Çeviri)
ABSRACT Ms.D. Thesis THE DETERMINATION OF THE CURRENT-CAP ATICANCE-CONDUCTANCE CHARACTERISTICS OF METAL/GaAs AND METAL/IN S ULATOR/GaAs SCHOTTKY DIODES Nezir YILDIRIM Atatürk University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor : Prof.Dr.Abdülmecit TÜRÜT The Al/ft-GaAs Schottky diodes were prepared using mirror cleaned and polished n- GaAs (as received from the manufacturer) with (100) orientation and 2-5x10 cm“ carrier concentration. Au-Ge (%88, %12) for ohmic contacts was evaporated on the back of the wafer in a vacuum-coating unit of 10”“ Torr. The Schottky contacts were formed by evaporating Al as dots with diameter of about 1.35 mm onto all of the n- GaAs surfaces. Metal/insulating/semiconductor (MIS) diodes were also fabricated by anodic oxide method. The ideality factor and barrier height values for the reference and MIS diodes were calculated drawing their current-voltage (I-V) curves. The values of 2.40 and 0.62 for the ideality factor and barrier height of one of the reference diode were obtained, respectively, and the values of 1.48 and 0.825 for one of the MIS diode. Furthermore, tunnelling effect through the top of Schottky barrier and image forge lowering effect for the I-V barrier and ideality factor of both diodes were also taken into account. Again, the diffusion potential, Fermi Level, carrier concentration and barrier height values for both diodes were computed from the reverse bias C”2-V characteristics. It was seen that the interfacial layer and interface states affected the ideality of the devices considerably. 2002, 70 pages
Benzer Tezler
- Metal/n-tipi GaAs schottky diyotlarında havada oksitlenme ve yaşlanmanın akım-gerilim (I-V) ve kapasite, konduktans-gerilim, frekans (C,V-G,f) karakteristiklerine etkisi
The Effects of oxidation in air and ageing on current-voltage (I-V) and capacitance, conductance-voltage, frequency (C,V-G,f) characteristics of metal n-type GaAs schottky diodes
AHMET FARUK ÖZDEMİR
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Metal-yalıtkan-yarıiletken (MYY) yapılarda akım iletimi ve sığa özellikleri
Current transport and capacity properties in metal-insulator-semiconductor (MIS) structure
YUNUS BAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER
- P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films
HAYRETTİN YÜZER
- InAlGaAs/GaAs kuantum kuyu lazerinin akım-gerilim ve ışıma özelliklerinin incelenmesi
Investigating current-voltage and luminescence properties of InAlGaAs/GaAs quantum well laser
MELEK TUNCAY KARABULUT
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiAkdeniz ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ASİYE ULUĞ
- MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri
Transport properties of InGaAs/GaAs and A1GaAs/GaAs semiconductors grown by MBE
SEFER BORA LİŞESİVDİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP