Low temperature photoluminescence study in GaS-GaSe layered crystals
GaS-GaSe katmanlı kristallerin düşük sıcaklıkta fotoışıma incelemesi
- Tez No: 119139
- Danışmanlar: PROF. DR. NİZAMİ HASANLİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Fotoışıma, safsızlık durumları, yeniden birleşme mekanizmaları, band yapısı iv, Fotolüminesans, Kristaller, Safsızlık, Photoluminescence, impurity states, recombination mechanisms, band structure m, Crystals, Impurity
- Yıl: 2002
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz GaS-GaSe KATMANLI KRİSTALLERİNİN DÜŞÜK SICAKLIKTA FOTOIŞIMA İNCELEMESİ Gökşen, Kadir Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Nizami Hasanlı Ortak Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Hüsnü Özkan Ağustos 2002, 73 sayfa GaSxSe|.x katlı kristallerinin safsızlık durumları, x = 1, 0.5 ve 0 değerleri için fotoışıma deneyleri aracılığıyla incelendi. Bileşik parametresinin (x) her bir değeri için (GaS, GaSo.sSeo.5 ve GaSe kristalleri için), fotoışıma spektrumunun sıcaklığa ve lazer uyarma şiddetine bağımlılığı incelendi. Analizler sonucu, her bir kristal için enerji bandı diyagramı çizildi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT LOW TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE STUDY IN GaS-GaSe LAYERED CRYSTALS Gökşen, Kadir M. S. Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Nizami Hasanli Co-supervisor: Prof. Dr. Hüsnü Özkan August 2002, 73 pages The impurity states in GaSxSei_x single crystals were studied for the values of x~ 1, 0.5 and 0 by photoluminescence experiments. For each value of compositional parameter, x, (for GaS, GaSo.sSeo.5 and GaSe crystals), the variation of the photoluminescence spectra as a function of temperature and excitation laser intensity was investigated. As a result of analysis, the energy band diagram for each crystal was drawn.
Benzer Tezler
- AlxGa1-xN/GaN 2 boyutlu elektron gazının elektriksel ve optiksel özellikleri arasındaki ilişkinin incelenmesi
Electrical and optical characterization of 2 DEG in AlxGa1-xN/GaN heterostructure
SALİH TOLGA BAYRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ TEKE
- Katalitik büyütme ile elde edilen II-VI grubu nanotellerinin fiziksel özelliklerinin incelenmesi
An investigation of physical properties of group II-VI nanowires obtained with catalytic growth
NESLİHAN ÜZAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Amorf silisyumda staebler wronski etkisinin fotoiletkenlik parametresi üzerindeki rolü
The Role of staebler-wronski effect on the prameter of photocondictivity in amorphus silicon
SEVİLAY UĞUR
- Tabakalı Gate yarı iletken bileşiğinin optik özelliklerini fotoluminesans tekniği ile incelenmesi
The investigation of optical properties of layered ga te semiconducter using photo luninescu technique
MURAT GÜLNAHAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU
- Optical properties of gase single crystal and experimental study
GaSe kristalinin optik özellikleri. Deneysel çalışma
TEVFİK KEMAL ÖZCAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BÜLENT G. AKINOĞLU