Geri Dön

MOS yapısında SiO2 nin kompleks dieleketrik sabitinin frekansa bağlı değişiminin c-v ölçüm yöntemiyle belirlenmesi

Determining the change of complex dielectric constant of frequency dependence by using the method c-v measurements in MOS structure

  1. Tez No: 112404
  2. Yazar: MEHMET KOŞAL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN BOZDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MOS Kapasitör, Dielektrik Sabiti, Yalıtkan (Si02) Tabakası, Arayüzey Durumları ve Elektrik Kutuplanması, MOS, Silisyum dioksit, MOS Capacitor, Dielectric Layer, Interfacial and Electric Polarization Permittivity, Insulator (SİO2) II, Dielectric constant, MOS, Silicon dioxide
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çukurova Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

YÜKSEK LİSANS TEZİ MOS YAPISINDA SiO2 NİN KOMPLEKS DİELEKTRİK SABİTİNİN FREKANSA BAĞLI DEĞİŞİMİNİN C-V ÖLÇÜM YÖNTEMİYLE BELİRLENMESİ Mehmet KOŞAL ÇUKUROVA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANA BİLİM DALI Danışman: Prof. Dr. Süleyman BOZDEMİR Yıl.2001, Sayfa: 69 Jüri : Prof. Dr. Süleyman BOZDEMİR : Prof. Dr. Kerim KIYMAÇ :Yrd.Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL Bu çalışmada bir MOS yapısındaki silisyum dioksidin dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı değişimi incelendi. Burada dielektrik özellikler kompleks bağıl dielektrik geçirgenliğinin gerçek ve sanal kısımları anlamındadır. Deneysel ölçümler, oda sıcaklığında ve basıncında yapıldı. Farklı frekanslardaki dielektrik sabitinin değerlerini bulmak için C-V yönteminden çıkartılan kapasitans ve voltaj ölçümleri kullanıldı. C-V yöntemi metal ile yarıiletken arasında yarıiletken yüzeyine yakın bölgelerde yerleşen yük tuzaklanmasının anlaşılmasında yaygın olarak kullanılmaktadır. Böylelikle bu arayüzeydeki arayüzey kutuplanması ile ilgili birtakım bilgiler de çıkartılmaya çalışıldı.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT MASTER THESIS DETERMINING THE CHANGE OF COMPLEX DIELECTRIC CONSTANT OF Si02 FREQUENCY DEPENDENCE BY USING THE METHOD C-V MEASUREMENTS OF MOS STRUCTURE Mehmet KOŞ AL DEPARTMENT OF PHYSICS INSTITUTE OF NATUREL AND APPLIED SCIENCIES UNIVERSITY OF ÇUKUROVA Supervisor: Prof. Dr. Süleyman BOZDEMİR Year:2001, Pages: 69 Jury Prof. Dr. Süleyman BOZDEMİR Prof. Dr. Kerim KIYMAÇ Yrd. Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL In this work the change dielectric properties depending on frequency of material SİO2 in a MOS structure was investigated. Where dielectric properties mean that both the real and imaginary parts in the complex relative dielectric permitivity. The expiremental measurements were made in room temperature and pressure. In order to find the values of dielectric constant in different frequencies, the values taking from capacitancies and voltage in measurements of method C-V were used. Method C-V is used commanly in understanding of trapping charges in the regions near Si-metal interface. Therefore, it was also tired to take out some knowledge dealing with interfacial polarization in this interface.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    167415

    Growth and characterization of thin SiO2 and Ta2O5 dielectric layers by Nd: Yag laser oxidation

    Nd: Yag lazer oksitleme yöntemi kullanılarak ince SiO2 ve Ta2O5 dielektrik tabakaların büyütülmesi ve karakterize edilmesi

    GÜLNUR AYGÜN ÖZYÜZER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF.DR. RAŞİT TURAN

    PROF.DR. SİNAN BİLİKMEN

  2. Tez No

    19260

    3um N-kuyu CMOS teknolojisi ile test kırmığı tasarımı ve tranzistor eşik gerilimi ayarı

    Test chip design for 3 um N-well CMOS fabrication technology and threshold voltage adjustment

    ZEYNEP D. TOROS

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ

  3. Tez No

    35157

    AI/Anodik SİO2/Sİ (MOS) yapıların elektriksel özellikleri üzerine ısısal tavlama, akım yoğunluğu ve elektrolit pH'ının etkileri

    Başlık çevirisi yok

    MUSTAFA SAĞLAM

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT

  4. Tez No

    234052

    Au/SiO2/n-GaAs (MOY) yapıların elektrik ve dielektrik karakteristiklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical and dielectric properties of Au/SiO2/n-GaAs (MOS) structures

    MUHARREM GÖKÇEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  5. Tez No

    35728

    Investigation of SiO2 / P-Si structure by DLTS and various admittance techniques

    SiO2 / P-Si yapısının DLTS ve çeşitli admıttans teknikleri ile belirlenmesi

    SERHAT ÖZDER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU

Geri Dön