ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 heteroeklem güneş pilinin elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cell
- Tez No: 97761
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. HABİBE BAYHAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Admitans ölçümü, Empedans, Eşdeğer devre, Güneş pilleri, Karakterizasyon, Admittance measurement, Impedance, Equivalent circuit, Solar cells, Characterization
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Muğla Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
II ÖZET ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 HETEROEKLEM GÜNEŞ PİLİNİN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU KAVASOĞLU A. SERTAP Yüksek Lisans Tezi, Fizik Eylül, 2000 Bu çalışmada 'Stuttgart Üniversitesi, Fiziksel Elektronik Araştırma Enstitüsünde, Prof. Dr. Şener OKTİK' tarafından üretilen ve emici tabakasını oluşturan materyallerin göreli ağırlık oranları ; % 22.26 Cu, % 19.46 in, % 7.27 Ga ve %51.02 Se olan n-CdS/p-Cu(In,Ga)Se2 heteroeklem güneş pilin sıcaklık bağımlı akım- voltaj ve kompleks admittans analizleri sunulmuştur. %12 lik verime sahip güneş pilinin JV analiz sonuçlan, karanlık akımının leV luk aktivasyon enerjisi ve 119meV luk karakteristik tünelleme enerjisi ile ara yüzeyde tünellemenin çoğalttığı yeniden birleşme akım iletim mekanizması ile kontrol edilebileceğini ortaya koymuştur. Heteroeklem yapının eşdeğer devresinin birbirlerine paralel bağlı kondansatör ve direnç ile yine bunlara seri bağlı olan bir dirençten meydana geldiği bulunmuştur. Kompleks admittans ölçümleri eklemde tek bir engel potansiyelinin varlığına işaret etmektedir. Sıcaklık bağımlı kapasitans frekans ölçümleri sonucunda aktivasyon enerjileri 30meV ve 90meV olan iki verici tuzak seviyesinin varlığı belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
Ill ABSRACT ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 HETEROJUNCTION SOLAR CELL KAVASO?LU A.SERTAP M.Sc. in Physics September, 2000 In this study, temperature dependent current-voltage and complex admittance analysis of n-CdS/p-Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cell with absorbing layer having the material compositions of; % 22.26 Cu, % 19.46 In, % 7.27 Ga ve %51.02 Se and prepared by“Prof. Dr. Şener OKTİK at University of Stuttgart IPE”was presented. Result of the JV analysis of the 12% efficient solar cell suggest that the dark current is controlled by the tunneling enhanced interface recombination with an activation energy of leV and characteristic tunneling energy of 119meV. The equivalent circuit of the heterojunction structure is found to equal a resistance connected in series with a paralelly connected resistance capacitance combination. The complex impedance measurements are indicated the existence of single junction in the structure. The frequency and temperature dependent capacitance-voltage studies are indicated the existence of two acceptor-like traps activation energies of 30 and 90meV.
Benzer Tezler
- Püstkürtme yöntemiyle ZnO/Cu2 S ince film güneş pilleri yapımı
Preparation of ZnO/Cu2 S thin film solar cells by spray pyrolysis
MUSTAFA ÖZDURAN
- Püskürtme yöntemiyle CdO/Cu2S ince filim güneş pilleri
Cd/Cu2S thin film solar cells
MURAT AVŞAR
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. REMZİ ENGİN
- ZnO varistors with iron oxide
Başlık çevirisi yok
İBRAHİM ÇAM
Yüksek Lisans
İngilizce
1989
Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPROF. DR. MUHARREM TİMUÇİN
- Üretim sürecinde ZnO yerine katılan A12O3'ün otomobil lastiğindeki fiziksel etkileri
The Phisical effect of Al O which is used instead of ZnO on tyre production
ZEYNEP ARDIÇ(TOPRAK)
- ZnO/Cu2O ince film güneş pilleri
Başlık çevirisi yok
CEBRAİL GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENGİN REMZİ